氧化镓

氧化镓有望成为超越SiC和GaN性能的材料

氧化镓有望成为超越SiC和GaN性能的材料，有望成为下一代功率半导体，日本和海外正在进行研究和开发。

2023-04-14 标签：肖特基二极管SiCGaN 923 0

探讨氧化镓基肖特基势垒二极管的研究结果

重点从器件工艺、结构和边缘终端技术等角度评述了优化 Ga2O3基 SBD 性能的方法，并对 Ga2O3基 SBD 的进一步发展趋势进行了展望。

2023-04-08 标签：二极管氧化镓 2k 0

功率二极管和功率晶体管的国内外研究总结

对 Ga2O3外延材料、功率二极管和功率晶体管的国内外最新研究进行了概括总结，展望了Ga2O3在未来的应用与发展前景。

2023-03-30 标签：功率器件氧化镓宽禁带半导体 694 0

四代半导体的发展现状，氧化镓新进展介绍

半导体内部的价电子通常被共价键束缚，无法自由移动，自然也就无法参与导电。所有价电子所处的能带区域被称为价带，价电子在受到热、光、电、磁等方式的激发时

2023-03-29 标签：晶体硅氧化镓 3.2k 0

高灵敏、自供电氧化镓日盲紫外光电探测器研究取得进展

氧化镓（Ga2O3）是一种新兴宽禁带半导体（禁带宽度为4.9 eV），具有热稳定性好、禁带宽度大、紫外吸收系数大、材料易加工等优点，是日盲紫外探测理想的...

2023-03-28 标签：探测器紫外氧化镓 7k 0

氧化镓功率器件的研究新发展总结

相比于目前常见的宽禁带半导体SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品质因数更大、预期生长成本更低，在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面更具潜力。

2023-03-13 标签：功率二极管功率器件功率晶体管 751 0

一文读懂氧化镓（第四代半导体）

氧化镓有5种同素异形体，分别为α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化镓）最为稳定，当加热至一定高温时，其他亚稳态均转换为β相，在熔点1800℃...

2023-03-12 标签：半导体晶体氧化镓 1.4万 0

一文看懂氧化镓的晶体结构性质和应用领域

氧化镓有5种同素异形体，分别为α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化镓）最为稳定，当加热至一定高温时，其他亚稳态均转换为β相，在熔点1800℃...

2023-03-08 标签：碳化硅氧化镓 5.3k 0

一文解析氧化镓衬底的长晶与外延工艺

氧化镓能带结构的价带无法有效进行空穴传导，因此难以制造P型半导体。近期斯坦福、复旦等团队已在实验室实现了氧化镓P型器件，预计将逐步导入产业化应用。

2023-02-27 标签：氧化镓宽禁带半导体 3.4k 0

氧化镓技术研究再获新突破

Ga2O3与硅(Si)相比具有耐压高、功耗低、大尺寸单晶比较容易制作等特点。因此，作为搭载于电动汽车等的功率半导体材料的候补材料而备受瞩目。

2023-02-24 标签：电动汽车氧化镓 558 0

第四代宽禁带半导体材料——氮化镓

第一代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料；第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料

2023-02-23 标签：射频器件氧化镓宽禁带半导体 5.7k 0

氧化镓的性能、应用和成本 氧化镓的应用领域

我国的氧化镓衬底能够小批量供应，外延、器件环节产业化进程几乎空白，研发主力军和突出成果都在高校和科研院所当中。

2023-02-22 标签：碳化硅氧化镓宽禁带半导体 4.8k 0

在氧化镓基日盲雪崩探测器研究领域取得新突破！

研究组在前期Ga₂O₃/ITO n-n型雪崩探测器件成果的基础上（ACS Nano，2021，15：16654），经过不断探索，通过插入合适的宽带隙材料...

2023-02-10 标签：晶格光电探测器氧化镓 1.6k 0

北邮在氧化镓基日盲雪崩探测器研究领域取得新突破

研究组在前期Ga₂O₃/ITO n-n型雪崩探测器件成果的基础上（ACS Nano，2021，15：16654），经过不断探索，通过插入合适的宽带隙材料...

2023-02-06 标签：半导体光电探测器氧化镓 1.4k 0

谈谈热门的氧化镓

高效的超高压功率转换设备(电压>20kv)需要比硅的能隙大得多的半导体。宽带隙(WBG)半导体碳化硅(SiC)已经成熟成为电力电子的商业技术平台，...

2022-11-29 标签：半导体晶体管氧化镓 1.4k 0

使用导模法生长4英寸β-Ga2O3 氧化镓单晶性能分析

晶体生长使用的原料为氧化镓粉末，纯度99.999%，采用中频感应加热，铱金发热体、铱金模具，铱 金坩埚周围放置氧化锆作为保温材料。

2022-11-23 标签：二极管晶体氧化镓 4.6k 0