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标签 > 场效应晶体管
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。
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NAND Flash和NOR Flash都是基于浮栅场效应晶体管(Floating Gate FET)的结构。它们都包含源极(Source)、漏极(Dr...
2024-02-19 标签:场效应晶体管Nand flashNOR flash 570 0
随着传统平面晶体管的尺寸缩小,器件物理学家称为短沟道效应的器件占据了中心位置。总的来说,由于源极和漏极之间的距离变得非常小,电流会在不应该泄漏的时候漏过...
美格纳推出第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管
美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ MOSFE...
11GHz ~ 20GHz HMC554ALC3BTR混频器概述
HMC554ALC3B是一种通用的双平衡无引线RoHS兼容无引线芯片载体(LCC)中的混频器可以用作上变频器或下变频器的封装。
mosfet漏极外接二极管的作用 mosfet源极和漏极的区别
漏极外接二极管(Drain-Source Diode,简称D-S二极管)在MOSFET电路中起到了重要的作用,本文将介绍MOSFET源极和漏极之间的区别...
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor) 是由双极结型晶体管(BJT)和金属-氧化物半导体场效应晶体管(...
究竟有哪一些款式的MOS管是比较常用于72V的电机控制器呢?
在全球出行电动化的背景下,结合2021-2027全球与中国电动摩托车市场现状及未来发展趋势》报告:2026年全球电动摩托车市场规模有望达到693亿元,年...
电源防反接(也称作反接保护)是一种电子电路设计中非常重要的环节,主要用于防止电源(如电池)的正负极被错误连接导致的系统损坏或故障。在实际应用中,反接保护...
一种用于实时检测溶液中COVID-19刺突抗原的电子生物传感器
这款GO-FET生物传感器采用由p型硅(Si)衬底以及覆盖其上的二氧化硅(SiO2)介电层组成的p型硅片(Si/SiO2)制备。
在电子元件中,金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)是独特且重要,然而相比其他元件,MOS管很容易失效,导致电路无法正常运行,因此工程师必须查找原因...
与作为电流控制器件的双极晶体管不同,场效应晶体管是电压控制的。这使得FET电路的设计方式与双极晶体管电路的设计方式大不相同。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种功率半导体器件,结合了绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)和双极型晶体...
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