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标签 > 半导体器件
半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间,利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件,可用来产生、控制、接收、变换、放大信 号和进行能量转换。
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本文首先介绍了 IGBT 技术的研究现状,并对 IGBT 不同结构的特点和电学特性做了简要阐述;最 后列举了一些最新的研究成果,并探讨了 IGBT 的 ...
功率二极管,也叫做肖特基势垒二极管,是一种常见的半导体器件。它的主要作用是在电路中起到电流的整流、稳压和开关控制等功能。
首先,晶体管是一种半导体器件,它的核心部件是PN结。PN结是一种正负半导体材料的结合,其中P型半导体和N型半导体形成一个电子和空穴流动的界面。当PN结被...
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
微波半导体器件在微波系统中能发挥各方面性能,归纳起来,即在微波功率产生及放大,控制、接收三个方面。而微波功率器件要求有尽可能大的输出功率和输出效率及功率...
变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。我们现在使用的变频器主要采用交—直—交方式,先把工频交流电通过整流器转换成直...
薄膜沉积是晶圆制造的三大核心步骤之- - ,薄膜的技术参数直接影响芯片性能。 半导体器件的不断缩小对薄膜沉积工艺提出了更高要求,而ALD技术凭借沉积薄...
在电子器件的散热过程中,热传导需要在两个固体表面传输,但是界面处不是理想的平面,而是存在少量小尺度凹凸界面,在实际应用中界面位置也仅依靠凸起结构接触,大...
晶体管具有放大能力的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。在这种偏置条件下,发射区的多数载流子扩散到基区后,只有极少部分在基区被复合,绝大多数会被集...
按晶圆尺寸计算,GaN半导体器件市场的6英寸及以上GaN晶圆部分预计在预测期内将录得更高的复合年增长率。此尺寸范围的晶圆使制造商能够提高生产力并在单个批...
三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
功率循环试验中最重要的是准确在线测量结温,直接影响试验结果和结论。比较总结了各种温度测量方法的一致性、线性、灵敏度、难度和物理意义。基于通态特性的电学参...
第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势。因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件能在更高的温度下稳定运...
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