基于一款具有完美集成度且尺寸精巧的SO24W芯片

ST推出先进的单通道栅驱动器 （single-channel gate driver） 芯片STGAP1S。新产品在同一芯片上集成电隔离层 （galvanic isolation） 和模拟及逻辑电路 （analog and logic circuitry），有助于设计人员简化驱动器设计，同时确保产品具有优异的抗噪性能 （noise immunity），实现安全可靠的功率控制效果。

STGAP1S是意法半导体新一代gapDRIVE™栅驱动器的首款产品。新产品整合意法半导体独有的双极-CMOS-DMOS （BCD）制造工艺以及在芯片上植入隔离层的创新技术，可进一步提高系统集成度。高压轨上可耐受最高达1500V电压，而不会干扰其它电路；高可靠性使其适用于工业驱动器、大功率600V或1200V逆变器、太阳能逆变器以及不间断电源 （uninterruptible power supplies） 。

100ns电隔离层信号传播延时，使STGAP1S能够传输高精度的PWM信号。新产品集成驱动级的灌入或源出电流最高达5A；轨对轨输出支持负驱动电压，可与大型绝缘栅双极型晶体管 （IGBT， Insulated Gate Bipolar Transistors） 或宽带隙 （wide-bandgap） 电源开关（例如碳化硅MOSFET）配套使用。新产品具有优异的共模瞬变免疫能力（common-mode transient immunity），可耐受超过±50V/ns的共模瞬变电压，支持跨电隔离层通信和安全的工作环境。灌入与源出输出分开式设计可提高设计的灵活性，有助于减少外部元器件的使用。

新产品可通过内置的工业标准接口SPI端口与主控制器通信，内部控制逻辑可实时监控工作状态。STGAP1S通过这个接口向主控制器提供丰富的诊断信息，进一步提升系统保护性能和工作可靠性。

新智能驱动器还集成大量的保护功能，帮助芯片最大限度提升在恶劣工业环境中的工作可靠性。这些保护功能包括防止无用的晶体管导通的功率级有源米勒箝位 （active Miller clamp）；在短路条件下保护开关的去饱和检测 （desaturation detection）；可防止有危害性的电压过冲的集电极-发射极的过压保护 （collector-emitter overvoltage protection） 及输出双电平关断功能；过热保护 （over-temperature protection）、欠压保护 （UVLO， Under-Voltage Lockout） 和过压保护 （OVLO， Over-Voltage Lockout） 以及过流（over-current） 检测专用引脚。

STGAP1S是一款具有完美集成度且尺寸精巧的SO24W芯片。
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