MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SEMIconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管
2009-11-05 11:50:36
4309 达林顿晶体管（Darlington Transistor）也称为达林顿对（Darlington Pair），是由两个或更多个双极性晶体管（或其他类似的集成电路或分立元件）组成的复合结构。通过这种结构，第一个双极性晶体管放大的电流可以进一步被放大，从而提供比其中任意一个双极性晶体管高得多的电流增益。
2024-02-27 15:50:5313531 
赛灵思（Xilinx）今天宣布推出世界最大的FPGA芯片“Virtex UltraScale+ VU19P”，拥有多达350亿个晶体管，密度在同类产品中也是最大的，相比上代Virtex UltraScale VU440增大了1.6倍，而功耗降低了60％。
2019-08-22 16:04:3912673 其实早在2002年Intel即发现了这一技术，一直处于试验演示阶段，现在终于把它变成了现实，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶体管的数量将达到10亿。
2020-04-07 09:01:21
。 8050晶体管及其等效的8550晶体管设计用于低功耗推挽放大器应用中的互补晶体管对。通常，8050晶体管是2瓦放大器，最大集电极-发射极电流为1.5安培，最大集电极-发射极电压为25伏。 基本晶体管
2023-02-16 18:22:30
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 编辑
世界晶体管手册
2012-11-03 09:08:34
世界晶体管手册.files.rar
2012-04-12 08:43:17
的工程师基尔比发明了第一颗集成电路IC。2000年，杰克·基尔比因集成电路的发明被授予诺贝尔物理学奖。前不久，华为发布麒麟970全球首款移动AI计算芯片，使用10nm工艺制造，指甲盖大小的芯片里集成的晶体管
2018-08-07 14:47:02
世界首款3D芯片工艺即将由无晶圆半导体公司BeSang授权。 BeSang制造了一个示范芯片，在逻辑控制方面包含1.28亿个纵向晶体管的记忆存储单元。该芯片由韩国国家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
判定前：晶体管的选定～贴装的流程晶体管可否使用的判定方法1. 测定实际的电流、电压波形2. 是否一直满足绝对最大额定值？3. 是否在SOA范围内？4. 在使用环境温度*1下是否在下降的SOA范围内
2019-04-15 06:20:06
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
谁有晶体管和集成块的识别图以及作用的图书发个看看！求购呀！:)
2011-05-21 06:25:44
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
供应晶圆芯片，型号有： 可控硅， 中、大功率晶体管，13000系列晶体管，达林顿晶体管，高频小信号晶体管，开关二极管，肖特基二极管，稳压二极管等。有意都请联系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
过大，则β和hFE也将明显变小。(2) 集电极最大电流ICM晶体管集电极允许通过的最大电流即为ICM。需指出的是，IC大于ICM时晶体管不一定会被烧坏，但β等参数将发生明显变化，会影响晶体管正常工作，故
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-04-10 06:20:24
不同的是，用于放大或导通/关断的偏置电流会流经晶体管（基极）。 另外，MOSFET中有称为“导通电阻”的参数，尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数。世界上最早的晶体管
2020-06-09 07:34:33
，MOSFET中有称为“导通电阻”的参数，尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数。世界上最早的晶体管是双极晶体管，所以可能有人说表达顺序反了，不过近年来，特别是电源电路中
2018-11-28 14:29:28
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-07-23 00:07:18
晶体管，称之为“非集中保护” (和集中保护对照)。集成驱动电路的功能包括：(1)开通和关断功率开关；(2)监控辅助电源电压；(3)限制最大和最小脉冲宽度；(4)热保护；(5)监控开关的饱和压降。
2018-10-25 16:01:51
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-05-05 00:52:40
功率、集电极最大电流、最大反向电压、电流放大系数等参数及外地人形尺寸等是否符合应用电路的要求。 2．末级视放输出管的选用彩色电视机中使用的末级视放输出管，应选用特征频率高于80MHZ的高频晶体管
2012-01-28 11:27:38
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统
2010-08-12 13:57:39
如今随着芯片制程的不断提升，芯片中可以有100多亿个晶体管，如此之多的晶体管，究竟是如何安上去的呢？ 这是一个Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看见CPU内部的层状结构
2020-07-07 11:36:10
我在进行AD8138ARM的热仿真，datasheet中只有结到环境的热阻JA的数据，我需要结到外壳的热阻Jc的数据，还有AD8138ARM放大器集成的晶体管数目是多少？
2023-11-21 06:54:43
IB0912L30功率晶体管IB0912L70功率晶体管IB0912M210功率晶体管IB0912M350功率晶体管IB0912M500功率晶体管IB0912M600功率晶体管IB0912M70功率
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双极
2021-04-01 09:41:49
至少800W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双
2021-04-01 10:11:46
，电压源耦合到PNP晶体管。这一次，发射极连接到电源电压V抄送通过负载电阻器，RL，限制流过连接到集电极端子的设备的最大电流。基电压VB相对于发射极偏置负，并连接到基极电阻R。B，用于再次限制最大基极
2023-02-03 09:44:48
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
调制和振荡器。晶体管可以独立封装，也可以封装在非常小的区域内，容纳1亿个或更多晶体管集成电路的一部分。（英特尔 3D 晶体管技术）严格来说，晶体管是指基于半导体材料的所有单一元件，包括由各种半导体材料
2023-02-03 09:36:05
功率设计通常与集成电路 （IC） 逻辑一起使用，以驱动螺线管、发光二极管 （LED） 显示器和其他小负载。 与使用标准单晶体管相比，达林顿晶体管设计具有多个优势。该对中每个晶体管的增益相乘，从而产生
2023-02-16 18:19:11
。 为什么使用鳍式场效应晶体管器件代替MOSFET？ 选择鳍式场效应晶体管器件而不是传统的MOSFET有多种原因。提高计算能力意味着增加计算密度。需要更多的晶体管来实现这一点，这导致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
ULN2003是什么？ULN2003的主要特点是什么？ULN2003达林顿晶体管集成电路有哪些应用？怎样去设计一种ULN2003达林顿晶体管集成电路？
2021-08-11 09:17:12
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
长度为350nm。所以我用这些单元模拟了一个电路。现在我需要在Xilinx FPGA芯片（xilinx ISE）中实现它，并比较这两者之间的延迟。为了使比较合理，我需要确保两者中的晶体管沟道长度相同。所以我正在寻找一种具有350nm通道长度的FPGA芯片。有人能帮我吗？谢谢
2019-11-11 07:10:27
晶体管等多种类型。三、晶体管的主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。（一）电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力
2012-07-11 11:36:52
区域，而粉红色阴影区域表示截止区域。 图1. 晶体管工作区 这些区域定义为： • 饱和区域。 在这个区域，晶体管将偏置最大基极电流，用于在集电极上实现最大电流，在集电极-发射极处实现最小压降
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基础上计算将R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流
2019-04-09 21:49:36
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-05-05 01:31:57
。由于成本下降，可再生能源系统的使用正在世界范围内扩大。这些系统需要将直流电源转换为电网同步的交流电源。目前，实现这项任务的逆变器是用分立晶体管设计制造的。TowerJazz半导体公司
2021-11-11 09:29:38
2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直
2019-04-30 06:00:00
导读：近日，英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率（700瓦），适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
世界最新晶体管代换手册
一、半导体器件型号命名法二、手
2008-07-18 17:15:40
62 集成电路晶体管封装尺寸图：
2009-10-16 00:06:07131 世界晶体管介绍
2010-07-10 17:02:5295 晶体管（transistor）
4
5纳米工艺的四核处理器已能容纳8亿个晶体管
2009-11-05 10:34:251669 PNP晶体管,PNP晶体管是什么意思
PNP晶体管是另一种类型晶体管.它的结构如图1所示。
2010-03-05 11:18:056814 双极晶体管,双极晶体管是什么意思
双极晶体管
双极型晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制。场效应管是电压控制器
2010-03-05 11:48:466586 电力晶体管(GTR),电力晶体管(GTR)是什么意思
电力晶体
电力晶体管管按英文GiantTransistor直译为巨型晶体
2010-03-05 13:32:3014825 CMOS晶体管,CMOS晶体管是什么意思
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶体管耗散功率,晶体管耗散功率是什么意思
晶体管耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大
2010-03-05 17:34:108979 电子发烧友网站提供《世界上最全的晶体管查询软件（英华家电维修软件之晶体管免费版）.exe》资料免费下载
2017-04-13 14:04:000 世界上最全的晶体管查询软件。
2016-05-27 17:20:1642 本文首先介绍了晶体管的概念与它的优越性，其次介绍了晶体管的开关作用及集成NPN晶体管概述，最后介绍了纵向晶体管与横向晶体管的原理及区别。
2018-05-17 17:35:1730693 
晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声。晶体管出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的降生吹响了号角。
2019-02-19 14:53:429452 mos晶体管，金属-氧化物-半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）结构的晶体管简称MOS晶体管，有MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路。
2019-04-19 17:04:528653 麒麟980芯片的69亿晶体管当然是准确数，不是估计数。为什么这么说呢？因为芯片的专业名称是集成电路，而麒麟980芯片则是超大规模集成电路，也就是说，在硅片上蚀刻了大量晶体管、电容、电阻以及连线，组成
2019-08-14 16:17:127015 Intel近日宣布推出一款新的也是目前世界上规模最大的FPGA芯片，这块名为Stratix 10 GX 10M的FPGA芯片以14nm工艺之力集成了433亿个晶体管，在达成世界最大这个记录的同时它使用了Intel较新的EMIB技术实现两个FPGA核心之间的连接。
2019-11-07 14:49:581735 据外媒techspot报道，今年夏天，美国加州AI初创公司Cerebras Systems宣布推出世界上最大的芯片，这款名为“The Cerebras Wafer Scale Engine（WSE）”的芯片拥有1.2万亿个晶体管，其当时就被认为就是为AI计算而生的。
2019-11-20 14:44:084147 今年 8 月，集成 1.2 万亿个晶体管的“史上最大芯片”The Cerebras Wafer Scale Engine（以下简称 WSE）诞生，在 11 月 19 日召开
2019-11-25 16:09:414062 CPU里的晶体管都是集成的超微晶体管，一个22纳米工艺的i5可能集成上十亿的晶体管。
2020-01-31 16:10:0015286 目前最大的GPU芯片——NVIDIA用于AI加速的GV100大核心，集成了211亿晶体管（核心面积815mm²）。WSE芯片晶体管数量是这个最大的GPU芯片的60倍，面积则是它的56倍多。
2019-12-09 14:51:215400 本文主要阐述了晶体管的生产方法及芯片上晶体管的种植教程。
2020-03-14 10:22:3215556 如今随着芯片制程的不断提升，芯片中可以有100多亿个晶体管，如此之多的晶体管，究竟是如何安上去的呢？
2020-04-02 15:12:1110079 随着芯片工艺的不断提升，芯片中可以多达100多亿个晶体管，如此之多的晶体管，究竟是如何实现的呢？ 当芯片被不停地放大，里面宛如一座巨大的城市。 这是一个Top-down View 的SEM照片，可以
2020-09-04 18:12:447555 使用5nm制程技术，CPU，GPU和NPU的性能遥遥领先。该芯片还集成了华为最强大的通信芯片以及最先进的ISP。由于采用了5nm工艺，麒麟9000集成了153亿个晶体管，比A14仿生晶体管多30%。麒麟9000是业界功能最强大的芯片。
2020-10-28 16:27:025164 1、1948年、在贝尔电话研究所诞生 1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。 之后以计算机为首，电子技术取得急速发展。正因为它
2021-08-27 14:58:5215165 大家都知道芯片使由晶体管构成的，一个芯片由小到几十，大到超百亿晶体管构成。像华为麒麟990芯片，就是由103亿颗晶体管组成的。
2021-12-14 13:49:1420533 硅晶体管的发展导致更多基于硅的晶体管的发明，例如金属氧化物半导体晶体管(MOSFET)。第一个 MOSFET由贝尔实验室研究员 John Atalla 于 1960 年制造。该设计基于 Shockley 的场效应理论。
2022-08-05 12:52:135164 芯片上集成晶体管的方法有很多，其中最常用的是封装技术，即将晶体管封装在芯片上，使其成为一个整体，从而实现晶体管的集成。另外，还可以使用芯片上的晶体管模块，将晶体管模块连接到芯片上，从而实现晶体管的集成。
2023-02-19 14:02:155730 基于他对理解半导体物理学的理论贡献和他发明的结型晶体管，肖克利与巴Bardeen 和 Brattain一起接受了 1956 年诺贝尔物理学奖，以表彰“半导体研究和晶体管效应的发现”。
2023-03-15 12:23:072397 在半导体行业的最初几十年里，新的工艺节点只需缩小晶体管的物理尺寸并将更多晶体管塞到芯片上即可实现性能、功耗和面积增益，这称为经典缩放。集成电路工作得更好，因为电信号在每个晶体管之间传播的距离更短。
2023-07-16 15:47:431457 晶体管是现代电子设备中至关重要的组件，而芯片则是晶体管的集成。晶体管是一种用于控制电流的电子器件，它是由半导体材料制成的。晶体管的发明和发展对现代科技的进步起到了重要的推动作用。
2023-08-04 09:45:302783 晶体管和芯片的关系是什么？ 晶体管和芯片是相互关联的两个概念，晶体管是芯片的核心组成部分之一。 晶体管是一种能够控制电流的电子器件，由美国贝尔实验室的William Shockley、John
2023-08-25 15:21:053881 晶体管和芯片的关系介绍 晶体管和芯片是现代电子技术中最重要的两个概念，二者有密不可分的关系。晶体管是一种半导体材料制造的电子器件，而芯片则是晶体管等电子器件及相关电路的集成体。 一、晶体管 晶体管
2023-08-25 15:29:375525 晶体管，作为现代电子设备的基石，其功能和工作原理一直是电子学和半导体物理领域研究的核心。芯片中的每个晶体管都是一个微型开关，负责控制电流的流动。随着技术的不断发展，现代芯片上可能集成了数十亿甚至数百亿的晶体管。本文将探讨晶体管的基本工作原理，从其构造开始，深入解析其操作机制。
2023-10-16 10:09:134353 
M3芯片的晶体管数量根据不同的版本有所差异。具体来说，标准版的M3芯片拥有250亿个晶体管，这一数量相比前代产品M2有了显著的提升，使得M3芯片在性能上有了更出色的表现。
2024-03-08 15:43:491961 苹果M3芯片在晶体管数量上有了显著的提升。具体来说，标准版的M3芯片内部集成了250亿个晶体管，相比前代M2芯片多了50亿个。这一数量的增加为M3芯片带来了更为强大的性能，无论是处理日常任务还是运行
2024-03-08 17:00:141599 苹果M3芯片的晶体管数量相当可观，相比前代产品有了显著的提升。这款芯片搭载了高达250亿个晶体管，比M2芯片多出50亿个，这样的设计使得M3芯片在性能上有了质的飞跃。
2024-03-11 16:45:371584 坚实的基础，更为后来的集成电路、大规模集成电路乃至超大规模集成电路的诞生和发展提供了可能。本文将详细探讨晶体管的分类及其作用，以期为读者提供一个全面且深入的理解。
2024-05-22 15:17:362681 一、引言 有关系。随着集成电路技术的飞速发展，芯片晶体管作为电子设备的核心元件，其性能的优化和制造技术的提升成为了行业关注的焦点。在晶体管的众多设计参数中，深度和宽度是两个至关重要的因素。它们不仅
2024-07-18 17:23:361915 晶体管计算机的诞生标志着计算机技术的一个重要里程碑，它不仅推动了计算机硬件的革新，还促进了计算机软件技术的发展。以下是对晶体管计算机诞生及其特点的详细阐述。
2024-08-23 15:06:425765 NMOS晶体管和PMOS晶体管是两种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）类型，它们在多个方面存在显著的差异。以下将从结构、工作原理、性能特点、应用场景等方面详细阐述NMOS晶体管和PMOS晶体管的区别。
2024-09-13 14:10:009540
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