赛灵思（Xilinx）今天宣布推出世界最大的FPGA芯片“Virtex UltraScale+ VU19P”，拥有多达350亿个晶体管，密度在同类产品中也是最大的，相比上代Virtex UltraScale VU440增大了1.6倍，而功耗降低了60％。
2019-08-22 16:04:39
11761 其实早在2002年Intel即发现了这一技术，一直处于试验演示阶段，现在终于把它变成了现实，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶体管的数量将达到10亿。
2020-04-07 09:01:21
。 8050晶体管及其等效的8550晶体管设计用于低功耗推挽放大器应用中的互补晶体管对。通常，8050晶体管是2瓦放大器，最大集电极-发射极电流为1.5安培，最大集电极-发射极电压为25伏。 基本晶体管
2023-02-16 18:22:30
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 编辑
世界晶体管手册
2012-11-03 09:08:34
世界晶体管手册.files.rar
2012-04-12 08:43:17
;><strong>世界晶体管手册<br/></strong></font>
2009-11-24 10:43:21
的工程师基尔比发明了第一颗集成电路IC。2000年，杰克·基尔比因集成电路的发明被授予诺贝尔物理学奖。前不久，华为发布麒麟970全球首款移动AI计算芯片，使用10nm工艺制造，指甲盖大小的芯片里集成的晶体管
2018-08-07 14:47:02
世界首款3D芯片工艺即将由无晶圆半导体公司BeSang授权。 BeSang制造了一个示范芯片，在逻辑控制方面包含1.28亿个纵向晶体管的记忆存储单元。该芯片由韩国国家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
判定前：晶体管的选定～贴装的流程晶体管可否使用的判定方法1. 测定实际的电流、电压波形2. 是否一直满足绝对最大额定值？3. 是否在SOA范围内？4. 在使用环境温度*1下是否在下降的SOA范围内
2019-04-15 06:20:06
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 编辑
晶体管作为电流单方向通过的电子开关使用晶体管也可以作为电子开关使用。但这个开关的电流方向只能是单向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
谁有晶体管和集成块的识别图以及作用的图书发个看看！求购呀！:)
2011-05-21 06:25:44
晶体管图示仪器是用来测量晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪，可以获得晶体管的实际特性，能更好的发挥晶体管的作用。
2021-05-07 07:43:17
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数？有的器件有放大倍数改变的参数。另外，不同的仿真模型参数不同如何改变？
2014-02-28 08:42:03
供应晶圆芯片，型号有： 可控硅， 中、大功率晶体管，13000系列晶体管，达林顿晶体管，高频小信号晶体管，开关二极管，肖特基二极管，稳压二极管等。有意都请联系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
过大，则β和hFE也将明显变小。(2) 集电极最大电流ICM晶体管集电极允许通过的最大电流即为ICM。需指出的是，IC大于ICM时晶体管不一定会被烧坏，但β等参数将发生明显变化，会影响晶体管正常工作，故
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-04-10 06:20:24
不同的是，用于放大或导通/关断的偏置电流会流经晶体管（基极）。 另外，MOSFET中有称为“导通电阻”的参数，尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数。世界上最早的晶体管
2020-06-09 07:34:33
，MOSFET中有称为“导通电阻”的参数，尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数。世界上最早的晶体管是双极晶体管，所以可能有人说表达顺序反了，不过近年来，特别是电源电路中
2018-11-28 14:29:28
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-07-23 00:07:18
晶体管，称之为“非集中保护” (和集中保护对照)。集成驱动电路的功能包括：(1)开通和关断功率开关；(2)监控辅助电源电压；(3)限制最大和最小脉冲宽度；(4)热保护；(5)监控开关的饱和压降。
2018-10-25 16:01:51
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24:32
功率、集电极最大电流、最大反向电压、电流放大系数等参数及外地人形尺寸等是否符合应用电路的要求。 2．末级视放输出管的选用彩色电视机中使用的末级视放输出管，应选用特征频率高于80MHZ的高频晶体管
2012-01-28 11:27:38
1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称为场效应管。 晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区（发射区、基区和集电区
2021-05-13 06:43:22
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统
2010-08-12 13:57:39
如今随着芯片制程的不断提升，芯片中可以有100多亿个晶体管，如此之多的晶体管，究竟是如何安上去的呢？ 这是一个Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看见CPU内部的层状结构
2020-07-07 11:36:10
我在进行AD8138ARM的热仿真，datasheet中只有结到环境的热阻JA的数据，我需要结到外壳的热阻Jc的数据，还有AD8138ARM放大器集成的晶体管数目是多少？
2023-11-21 06:54:43
IB0912L30功率晶体管IB0912L70功率晶体管IB0912M210功率晶体管IB0912M350功率晶体管IB0912M500功率晶体管IB0912M600功率晶体管IB0912M70功率
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双极
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双极
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双
2021-04-01 10:11:46
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
，由于电阻Rc的限制（Rc是固定值，则最大电流为U/Rc，其中U为电源电压），集电极电流不能无限增加。当基极电流增加而集电极电流不能继续增加时，晶体管进入饱和状态。判断晶体管是否饱和的一般标准是：Ib
2023-02-08 15:19:23
，电压源耦合到PNP晶体管。这一次，发射极连接到电源电压V抄送通过负载电阻器，RL，限制流过连接到集电极端子的设备的最大电流。基电压VB相对于发射极偏置负，并连接到基极电阻R。B，用于再次限制最大基极
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 耗散功率也称集电极
2010-08-13 11:35:21
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
所谓晶体管是指用硅和锗材料做成的半导体元器件，研制人员在为这种器件命名时，想到它的电阻变换特性，于是取名为trans-resister(转换电阻)，后来缩写为transistor，中文译名就是
2019-12-16 13:33:31
了“芯片里程表(Odometer for silicon chip)”的概念，并开发出一种电路用于测量可能影响芯片性能的晶体管老化指标，他希望能将这种电路集成进微处理器芯片设计中，以协助微处理器自动检测运转
2017-06-15 11:41:33
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
调制和振荡器。晶体管可以独立封装，也可以封装在非常小的区域内，容纳1亿个或更多晶体管集成电路的一部分。（英特尔 3D 晶体管技术）严格来说，晶体管是指基于半导体材料的所有单一元件，包括由各种半导体材料
2023-02-03 09:36:05
行直流测试，显示结果优良，表明氮化镓在未来透明电子系统中有很大的应用潜力。我们的晶体管栅极—源极距离为1.5μm的，栅极长为2μm，栅极—漏极距离为9.5μm，呈现的最大漏电流为602 mA/mm，最大
2020-11-27 16:30:52
功率设计通常与集成电路 （IC） 逻辑一起使用，以驱动螺线管、发光二极管 （LED） 显示器和其他小负载。 与使用标准单晶体管相比，达林顿晶体管设计具有多个优势。该对中每个晶体管的增益相乘，从而产生
2023-02-16 18:19:11
。 为什么使用鳍式场效应晶体管器件代替MOSFET？ 选择鳍式场效应晶体管器件而不是传统的MOSFET有多种原因。提高计算能力意味着增加计算密度。需要更多的晶体管来实现这一点，这导致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
PNP晶体管在哪里使用？放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管？首先，为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
ULN2003是什么？ULN2003的主要特点是什么？ULN2003达林顿晶体管集成电路有哪些应用？怎样去设计一种ULN2003达林顿晶体管集成电路？
2021-08-11 09:17:12
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
长度为350nm。所以我用这些单元模拟了一个电路。现在我需要在Xilinx FPGA芯片（xilinx ISE）中实现它，并比较这两者之间的延迟。为了使比较合理，我需要确保两者中的晶体管沟道长度相同。所以我正在寻找一种具有350nm通道长度的FPGA芯片。有人能帮我吗？谢谢
2019-11-11 07:10:27
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
2021-05-24 06:27:18
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多数
2021-05-13 07:09:34
`场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管
2017-05-06 15:56:51
场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2
2009-04-25 15:43:51
）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管
2018-11-05 17:16:04
晶体管等多种类型。三、晶体管的主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。（一）电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力
2012-07-11 11:36:52
区域，而粉红色阴影区域表示截止区域。 图1. 晶体管工作区 这些区域定义为： • 饱和区域。 在这个区域，晶体管将偏置最大基极电流，用于在集电极上实现最大电流，在集电极-发射极处实现最小压降
2023-02-20 16:35:09
如何去判别晶体管材料与极性？如何去检测晶体管的性能？怎样去检测特殊晶体管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下： 加速电路一 在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
: 2SD2673的规格书（记载了绝对最大额定值）例：瞬间超过绝对最大额定值的例子（不可使用）3. 是否在SOA范围内？确认安全工作区域 (SOA *1) 1安全工作区域（SOA）表示晶体管可安全工作的区域
2019-05-05 09:27:01
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？
2021-06-24 07:29:25
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基础上计算将R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流
2019-04-09 21:49:36
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-05-05 01:31:57
输出LLC转换器，以进行效率和功率密度比较。初级晶体管选择LLC具有多种优势，因为它具有完全谐振行为，允许在整个范围内进行软开关导通，这本质上有助于最大限度地减少功率晶体管和磁性元件的损耗。在图2中
2023-02-27 09:37:29
。由于成本下降，可再生能源系统的使用正在世界范围内扩大。这些系统需要将直流电源转换为电网同步的交流电源。目前，实现这项任务的逆变器是用分立晶体管设计制造的。TowerJazz半导体公司
2021-11-11 09:29:38
电子产品中，近年来逐渐被晶体管和集成电路所取代，但目前在一些高保真音响器材中，仍然使用电子管作为音频功率放大器件。 而晶体管是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多
2016-01-26 16:52:08
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直
2019-04-30 06:00:00
见证者，肖克莱在这本笔记上郑重地签了名。1948年，肖克莱发明了“结型晶体管 ”。1948年7月1日，美国《纽约时报》只用了8个句子的篇幅，简短地公开了贝尔实验室发明晶体管的消息。“一石激起千层浪”，它就像颗重磅***，在全世界电子行业“引爆”出强烈的冲击波。电子计算机终于就要大步跨进第二代的门槛！
2012-08-02 23:55:11
导读：近日，英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率（700瓦），适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
世界晶体管介绍
2010-07-10 17:02:52
95 根据Tom＇s Hardware的报道，今天，英特尔推出了世界上最大的FPGA芯片Stratix 10 GX 10M，搭载433亿个晶体管，拥有1020万个逻辑元件，使用EMIB将两个FPGA芯片和四个收发芯片连接在一起。
2019-11-13 16:25:351430 据外媒techspot报道，今年夏天，美国加州AI初创公司Cerebras Systems宣布推出世界上最大的芯片，这款名为“The Cerebras Wafer Scale Engine（WSE）”的芯片拥有1.2万亿个晶体管，其当时就被认为就是为AI计算而生的。
2019-11-20 14:44:083631 目前最大的GPU芯片——NVIDIA用于AI加速的GV100大核心，集成了211亿晶体管（核心面积815mm²）。WSE芯片晶体管数量是这个最大的GPU芯片的60倍，面积则是它的56倍多。
2019-12-09 14:51:214331 大家都知道芯片使由晶体管构成的，一个芯片由小到几十，大到超百亿晶体管构成。像华为麒麟990芯片，就是由103亿颗晶体管组成的。
2021-12-14 13:49:1416520 芯片上集成晶体管的方法有很多，其中最常用的是封装技术，即将晶体管封装在芯片上，使其成为一个整体，从而实现晶体管的集成。另外，还可以使用芯片上的晶体管模块，将晶体管模块连接到芯片上，从而实现晶体管的集成。
2023-02-19 14:02:153071
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