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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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HMC951ALP4E:5.6-8.6GHz GaAs MMIC I/Q 下变频器,低噪高抑新选择

型号: HMC951ALP4E

--- 产品参数 ---

  • 型号 HMC951ALP4E
  • 品牌 ADI
  • 封装 24 引脚 LFCSP
  • MSL 等级 MSL3

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

一、概述​

HMC951A 是一款紧凑型砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)同相正交(I/Q)下变频器,采用符合 RoHS 标准的封装,工作频率范围为 5.6 GHz 至 8.6 GHz。该器件可提供 13 dB 的小信号转换增益,噪声系数仅为 2 dB,镜像抑制比达 32 dBc,性能表现优异。​

在内部结构设计上,HMC951A 先通过低噪声放大器(LNA)对信号进行处理,再将信号传输至由本振(LO)缓冲放大器驱动的镜像抑制混频器。这种镜像抑制混频器设计,不仅省去了 LNA 后续所需的滤波器,还能有效去除镜像频率下的热噪声。器件提供 IF1 和 IF2 两个混频器输出端,需搭配外部 90° 混合网络以选择所需边带;同时,其 I/Q 混频器拓扑结构大幅减少了对无用边带滤波的需求,简化了系统设计。

与传统混合式单边带(SSB)下变频器组件相比,HMC951A 体积更小,且支持表面贴装制造工艺,无需引线键合,可提升生产效率。该器件采用 4 mm×4 mm、24 引脚的引线框架芯片级封装(LFCSP),工作温度范围为 - 40°C 至 + 85°C;此外,可根据需求提供 HMC951A 的评估板。

 

二、主要特性

  • 工作频率范围:5.6 GHz - 8.6 GHz
  • 转换增益:典型值 13 dB
  • 镜像抑制比:典型值 32 dBc
  • 输入 1 dB 压缩点:典型值 - 6 dBm
  • 输入三阶交调点(IP3):5.6 GHz - 8.6 GHz 频率范围内典型值 3 dBm
  • 噪声系数:典型值 2 dB
  • 本振(LO)至射频(RF)隔离度:典型值 48 dB
  • 本振(LO)至中频(IF)隔离度:典型值 13 dB
  • 射频(RF)至中频(IF)隔离度:典型值 10 dB
  • 幅度平衡:典型值 0.2 dB
  • 相位平衡:典型值 - 2°
  • 射频(RF)回波损耗:典型值 10 dB
  • 本振(LO)回波损耗:典型值 15 dB
  • 中频(IF)回波损耗:典型值 15 dB
  • 封装形式:带裸露焊盘的 4 mm×4 mm、24 引脚 LFCSP(引线框架芯片级封装)
  • 工作温度范围:-40°C 至 +85°C

 

三、应用领域

  • 点对点及点对多点无线电通信系统​​
  • 卫星通信系统
  • 传感器设备

 

四、相关型号

  • HMC951ALP4E
  • HMC951ALP4ETR
  • EV1HMC951ALP4(评估板)​​

型号(Model)​

 

 

温度范围(Temperature Range)​

 

 

封装本体材质(Package Body Material)​

 

 

引脚镀层(Lead Finish)​

 

 

封装描述(Package Description)​

 

 

MSL 等级(MSL Rating)​

 

 

封装选项(Package Option)​

 

 

HMC951ALP4E​

 

 

-40°C 至 +85°C​

 

 

低应力注塑塑料​

 

 

银(Ag)

 

 

24 引脚 LFCSP

 

 

MSL3​

 

 

HCP-24-3​

 

 

HMC951ALP4ETR​

 

 

-40°C 至 +85°C​

 

 

低应力注塑塑料​

 

 

银(Ag)​

 

 

24 引脚 LFCSP​

 

 

MSL3

 

 

HCP-24-3​

 

 

EV1HMC951ALP4​

 

 

-40°C 至 +85°C​

 

 

低应力注塑塑料​

 

 

银(Ag)​

 

 

24 引脚 LFCSP 评估板组件​

 

 

MSL3​

 

 

HCP-24-3​

 

 

备注:

  1. HMC951ALP4E 和 HMC951ALP4ETR 为符合 RoHS 标准的型号。

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