--- 产品参数 ---
- 型号 HMC951ALP4E
- 品牌 ADI
- 封装 24 引脚 LFCSP
- MSL 等级 MSL3
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
一、概述
HMC951A 是一款紧凑型砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)同相正交(I/Q)下变频器,采用符合 RoHS 标准的封装,工作频率范围为 5.6 GHz 至 8.6 GHz。该器件可提供 13 dB 的小信号转换增益,噪声系数仅为 2 dB,镜像抑制比达 32 dBc,性能表现优异。
在内部结构设计上,HMC951A 先通过低噪声放大器(LNA)对信号进行处理,再将信号传输至由本振(LO)缓冲放大器驱动的镜像抑制混频器。这种镜像抑制混频器设计,不仅省去了 LNA 后续所需的滤波器,还能有效去除镜像频率下的热噪声。器件提供 IF1 和 IF2 两个混频器输出端,需搭配外部 90° 混合网络以选择所需边带;同时,其 I/Q 混频器拓扑结构大幅减少了对无用边带滤波的需求,简化了系统设计。
与传统混合式单边带(SSB)下变频器组件相比,HMC951A 体积更小,且支持表面贴装制造工艺,无需引线键合,可提升生产效率。该器件采用 4 mm×4 mm、24 引脚的引线框架芯片级封装(LFCSP),工作温度范围为 - 40°C 至 + 85°C;此外,可根据需求提供 HMC951A 的评估板。
二、主要特性
- 工作频率范围:5.6 GHz - 8.6 GHz
- 转换增益:典型值 13 dB
- 镜像抑制比:典型值 32 dBc
- 输入 1 dB 压缩点:典型值 - 6 dBm
- 输入三阶交调点(IP3):5.6 GHz - 8.6 GHz 频率范围内典型值 3 dBm
- 噪声系数:典型值 2 dB
- 本振(LO)至射频(RF)隔离度:典型值 48 dB
- 本振(LO)至中频(IF)隔离度:典型值 13 dB
- 射频(RF)至中频(IF)隔离度:典型值 10 dB
- 幅度平衡:典型值 0.2 dB
- 相位平衡:典型值 - 2°
- 射频(RF)回波损耗:典型值 10 dB
- 本振(LO)回波损耗:典型值 15 dB
- 中频(IF)回波损耗:典型值 15 dB
- 封装形式:带裸露焊盘的 4 mm×4 mm、24 引脚 LFCSP(引线框架芯片级封装)
- 工作温度范围:-40°C 至 +85°C
三、应用领域
- 点对点及点对多点无线电通信系统
- 卫星通信系统
- 传感器设备
四、相关型号
- HMC951ALP4E
- HMC951ALP4ETR
- EV1HMC951ALP4(评估板)
型号(Model)
| 温度范围(Temperature Range)
| 封装本体材质(Package Body Material)
| 引脚镀层(Lead Finish)
| 封装描述(Package Description)
| MSL 等级(MSL Rating)
| 封装选项(Package Option)
|
HMC951ALP4E
| -40°C 至 +85°C
| 低应力注塑塑料
| 银(Ag)
| 24 引脚 LFCSP
| MSL3
| HCP-24-3
|
HMC951ALP4ETR
| -40°C 至 +85°C
| 低应力注塑塑料
| 银(Ag)
| 24 引脚 LFCSP
| MSL3
| HCP-24-3
|
EV1HMC951ALP4
| -40°C 至 +85°C
| 低应力注塑塑料
| 银(Ag)
| 24 引脚 LFCSP 评估板组件
| MSL3
| HCP-24-3
|
备注:
- HMC951ALP4E 和 HMC951ALP4ETR 为符合 RoHS 标准的型号。
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