类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):104W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@4.5V,8A;
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类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):38mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6.1nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):585pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):85pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
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类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,5.8A;
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类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):5.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):330pF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):46pF@30V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
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类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):14A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.7mΩ@10V,12A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):3448pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):421pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
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类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):1.9W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14.5mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):9.82nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.013nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):76pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
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类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):15.8A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):27.9nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.5nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):222pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
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类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):52.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):27.3nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):3.5nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):222pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
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类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,5A;
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类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.2A;功率(Pd):0.77W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):0.6V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):2.7nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):184pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):28pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
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