AP10N06D

制造商：APM-Microelectronics

描述：类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):5.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):330pF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):46pF@30V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);

Datasheet：

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器件参数

Function

连续漏极电流

13 A
输入偏置电容@30V

330 pF
类型

N沟道
漏源电压

60 V
漏源导通电阻@10V,10A

65 mΩ
栅源极阈值电压@250uA

1.6 V
栅极电荷@10V

5.1 nC
反向传输电容@30V

46 pF
功率耗散

42 W

Physical

工作温度@Tj

150 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

150 °C
制造商封装

TO-252-3

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