按产品类型
更多分类

AP3N06MI

制造商:APM-Microelectronics

描述:类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,5A;

Datasheet:

在线询价

器件参数

Function

  • 连续漏极电流
    3 A
  • 输入偏置电容@15V
    695 pF
  • 类型
    N沟道
  • 漏源电压
    60 V
  • 漏源导通电阻@10V,5A
    55 mΩ
  • 栅源极阈值电压@250uA
    2.5 V
  • 栅极电荷@10V
    5.5 nC
  • 反向传输电容@15V
    7 pF
  • 功率耗散
    42 W

Physical

  • 工作温度@Tj
    150 °C
  • 工作温度(Min)
    -55 °C
  • 工作温度(Max)
    150 °C
  • 制造商封装
    SOT-23-3L
库存量:0
预计交期:
数量
单价
总价(阶梯最低数量总价)

替代物料