AP50P10D

制造商：APM-Microelectronics

描述：类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):104W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@4.5V,8A;

Datasheet：

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器件参数

Function

连续漏极电流

50 A
输入偏置电容@25V

6.516 nF
类型

P沟道
漏源电压

100 V
漏源导通电阻@4.5V,8A

46 mΩ
栅源极阈值电压@250uA

1.8 V
栅极电荷@10V

92 nC
反向传输电容@25V

125 pF
功率耗散

104 W

Physical

工作温度@Tj

150 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

150 °C
制造商封装

TO-252

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