AP20P03D

制造商：APM-Microelectronics

描述：类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):38mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6.1nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):585pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):85pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);

Datasheet：

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器件参数

Function

连续漏极电流

20 A
输入偏置电容@15V

585 pF
类型

P沟道
漏源电压

30 V
漏源导通电阻@10V,10A

38 mΩ
栅源极阈值电压@250uA

2.5 V
栅极电荷@4.5V

6.1 nC
反向传输电容@15V

85 pF
功率耗散

25 W

Physical

工作温度@Tj

150 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

150 °C
制造商封装

TO-252-3

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