AP10N04S

制造商：APM-Microelectronics

描述：类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):1.9W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14.5mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):9.82nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.013nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):76pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);

Datasheet：

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器件参数

Function

连续漏极电流

10 A
输入偏置电容@15V

1.013 nF
类型

N沟道
漏源电压

40 V
漏源导通电阻@10V,7A

14.5 mΩ
栅源极阈值电压@250uA

2.5 V
栅极电荷@4.5V

9.82 nC
反向传输电容@15V

76 pF
功率耗散

1.9 W

Physical

工作温度@Tj

150 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

150 °C
制造商封装

SOP-8

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