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AP50P04NF

制造商:APM-Microelectronics

描述:类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):52.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):27.3nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):3.5nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):222pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 连续漏极电流
    50 A
  • 输入偏置电容@15V
    3.5 nF
  • 类型
    N沟道
  • 漏源电压
    40 V
  • 漏源导通电阻@10V,30A
    10.5 mΩ
  • 栅源极阈值电压@250uA
    1.6 V
  • 栅极电荷@4.5V
    27.3 nC
  • 反向传输电容@15V
    222 pF
  • 功率耗散
    52.1 W

Physical

  • 工作温度@Tj
    150 °C
  • 工作温度(Min)
    -55 °C
  • 工作温度(Max)
    150 °C
  • 制造商封装
    PDFN-8(5x5.8)
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