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FGB40T65SP_F085 650V 40A场截止沟道IGBT

数据:

FGH40T65SPD_F085采用新型场截止第三代IGBT技术,用于各种低导通和开关损耗的应用在高效运转提供最佳性能,同时提供50 V高阻断电压和强大的高电压切换可靠性。同时,该部件还可并行运行条件下提供杰出性能。
特性
  • 符合AEC-Q101标准
  • 低饱和电压:V CE(sat) = 2.0 V(典型值)@ I C = 40 A
  • 部件100%进行动态检测(备注1
  • 短路耐用性> 5 us @ 25°C
  • 最高结温:T J = 175°C
  • 快速开关
  • 紧密的参数分布
  • 正温度系数,易于并联运行
  • 与快速软恢复极快速二极管共封装
  • 符合RoHS标准

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(5)
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