ISO5851-Q1 ISO5851-Q1 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器，具有有源安全

ISO5851-Q1是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kV _RMS 增强型隔离栅极驱动器，具有2.5A的输电端由3V至5.5V的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为15V至30V。两个互补CMOS输入控制栅极驱动器的输出状态.76ns的

内置的去饱和（DESAT）故障检测功能可识别IGBT何时处于过载状态。当检测到DESAT时，栅极驱动器输出会被拉低为V _EE2 电势，从而将IGBT立即关断。

当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以及输入端的< span style =“text-decoration：overline”> FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。 FLT 的输出状态将被锁存，可通过 RST 输入上的低平有效脉冲复位。

<小>所有商标是其相应所有者的财产。

如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断IGBT，输出电压会被硬钳位为V _EE2 。如果输出电源为单极，那么可采用有源米勒钳位，这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流，从而防止IGBT在高电压瞬态条件下发生动态导通。

当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以及输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。 FLT 的输出状态将被锁存，可通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。

如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断IGBT，输出电压会被硬钳位为V _EE2 。如果输出电源为单极，那么可采用有源米勒钳位，这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流，从而防止IGBT在高电压瞬态条件下发生动态导通。

栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制，这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足，RDY输出会变为低电平;否则，该输出为高电平。

ISO5851-Q1采用16引脚小外形尺寸集成电路（SOIC）封装。此器件的额定工作环境温度范围为-40°C至125°C。