BQ76200 bq76200 高侧 N 通道 FET 驱动器

• CHG和DSG高侧N沟道金属氧化物半导体（NMOS）场效应晶体管（FET）驱动器，可控制电池保护快速FET导通和关断次数
• 预充电P沟道场效应应晶体管（PFET）驱动器（用于为显着耗尽的电池组进行限流预充电）
• 独立的数字使能充/放电控制
• 所需外部组件最少
• 基于可扩展外部电容的电荷泵，适用于不同范围内的并行FET
• 耐受高压（绝对最高电压为100V）
• 使能电池组电压感测的内部开关
• 支持通用和独立的充/放电路径配置
• 设计为直接与bq76940，bq76930和bq76920电池监控器搭配使用
• 电流消耗：
  • 正常模式：40μA
  • 关断模式：＆lt; 10μA（最大值）

应用

• 电动自行车（eBike），电动踏板车（eScooter）和电动摩托车（eMotorcycles）
• 储能系统和不间断电源（UPS）
• 便携式医疗系统
• 无线基站电池系统
• 铅酸（PbA）备用电池
• 12V至48V电池组