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数据： TLC08x - Family of Wide-Bandwidth High-Output-Drive Single Supply Op Amps 数据表
TI新型BiMOS通用运算放大器系列的首批成员是TLC08x。 BiMOS系列概念很简单：为BiFET用户提供升级途径，这些用户正在从双电源系统转向单电源系统，并要求更高的交流和直流性能。 BiMOS具有4.5 V至16 V的商用级（0°C至70°C）和扩展的工业温度范围（-40°C至125°C），适用于各种音频，汽车，工业和仪表应用。熟悉的功能，如偏移归零引脚，以及新的功能，如MSOP使用PowerPad™封装和关断模式，能够在各种应用提供更高级别的性能。
在TI的专利LBC3 BiCMOS工艺开发，新双极金属氧化物半导体放大器结合高输入阻抗，低噪声CMOS前端，具有高驱动双极性输出级，从而提供两者的最佳性能特性。与TL08x BiFET前代产品相比，AC性能提升包括10 MHz的带宽（增加300％）和8.5 nV /√的电压噪声 Hz （改进60％）。直流改进包括确保V ICR 包括接地，标准等级输入失调电压降低至1.5 mV（最大值）4倍，电源抑制改善大于40 dB至130 dB。除了这个令人印象深刻的功能列表之外，还能够从超小尺寸的MSOP PowerPAD封装中轻松驱动±50 mA负载，这使TLC08x成为理想的高性能通用运算放大器系列。
有关最新的封装和订购信息，请参阅本数据手册末尾的封装选项附录，或访问TI网站www.ti.com。
PowerPAD是德州仪器公司的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
| Number of Channels (#) |
| Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
| Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
| GBW (Typ) (MHz) |
| Slew Rate (Typ) (V/us) |
| Rail-to-Rail |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
| Iq per channel (Typ) (mA) |
| Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Offset Drift (Typ) (uV/C) |
| Features |
| Input Bias Current (Max) (pA) |
| CMRR (Typ) (dB) |
| Output Current (Typ) (mA) |
| Architecture |
| TLC081 | TLC080 | TLC082 | TLC082-Q1 | TLC083 | TLC084 | TLC084-Q1 | TLC085 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 1 | 2 | 2 | 2 | 4 | 4 | 4 |
| 4.5 | 4.5 | 4.5 | 4.5 | 4.5 | 4.5 | 4.5 | 4.5 |
| 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| In to V- | In to V- | In to V- | In to V- | In to V- | In to V- | In to V- | In to V- |
| 1.9 | 1.9 | 1.9 | 1.9 | 1.9 | 1.9 | 1.9 | 1.9 |
| 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 |
| 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 |
| Catalog | Catalog | Catalog | Automotive | Catalog | Catalog | Automotive | Catalog |
| -40 to 125 0 to 70 | -40 to 125 0 to 70 | -40 to 125 0 to 70 | -40 to 125 | -40 to 125 0 to 70 | -40 to 125 0 to 70 | -40 to 125 | 0 to 70 |
| MSOP-PowerPAD PDIP SOIC | MSOP-PowerPAD PDIP SOIC | MSOP-PowerPAD PDIP SOIC | MSOP-PowerPAD | MSOP-PowerPAD PDIP SOIC | HTSSOP PDIP SOIC | HTSSOP | HTSSOP PDIP |
| 8MSOP-PowerPAD: 15 mm2: 4.9 x 3(MSOP-PowerPAD) See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | 8MSOP-PowerPAD: 15 mm2: 4.9 x 3(MSOP-PowerPAD) See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | 8MSOP-PowerPAD: 15 mm2: 4.9 x 3(MSOP-PowerPAD) See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | 8MSOP-PowerPAD: 15 mm2: 4.9 x 3(MSOP-PowerPAD) | 10MSOP-PowerPAD: 15 mm2: 4.9 x 3(MSOP-PowerPAD) See datasheet (PDIP) 14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC) | 20HTSSOP: 42 mm2: 6.4 x 6.5(HTSSOP) See datasheet (PDIP) 14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC) | 20HTSSOP: 42 mm2: 6.4 x 6.5(HTSSOP) | 20HTSSOP: 42 mm2: 6.4 x 6.5(HTSSOP) See datasheet (PDIP) |
| 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 1.2 |
| N/A | Shutdown | N/A | N/A | Shutdown | N/A | N/A | Shutdown |
| 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
| 110 | 110 | 110 | 110 | 110 | 110 | 110 | 110 |
| 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
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