0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

TLV2332 双路低电压低功耗运算放大器

数据:

描述

TLV233x运算放大器属于专为低压单电源应用而设计的系列器件。与针对超低功耗进行优化的TLV2322不同,TLV233x旨在提供低功耗和良好交流性能的组合。每个放大器都具有完全功能,最低电源电压为2 V,经过全面表征,测试,并在3 V和5 V电源下均可指定。共模输入电压范围包括负轨,并延伸至正轨的1 V以内。

在整个温度范围内,每个放大器的最大电源电流仅为310 uA,TLV233x器件提供良好的交流性能和微安倍电源电流。从3 V电源开始,放大器的典型压摆率为0.38 V /us,带宽为300 kHz。

这些放大器的交流性能水平高于同等功率级别的许多其他设备。 TLV233x运算放大器特别适用于低电流或电池供电应用。

采用德州仪器(TI)的硅栅极LinCMOS TM 技术,可实现低电压和低功耗运行。 LinCMOS工艺还具有极高的输入阻抗和超低偏置电流,使这些放大器非常适合连接高阻抗源,如传感器电路或滤波器应用。

为方便小型便携式设备的设计,TLV233x提供多种封装选择,包括小外形和薄缩小外形封装(TSSOP)。与标准表面贴装封装相比,TSSOP封装尺寸显着缩小。它的最大高度仅为1.1毫米,在空间非常重要时特别具有吸引力。

器件输入和输出设计用于承受-100 mA电流而不会出现闩锁现象。 TLV233x采用内部ESD保护电路,可在MIL-STD 883C,方法3015.2下测试,防止电压高达2000 V时出现功能故障;但是,在处理这些器件时应小心,因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。

特性

  • 超过指定温度范围的宽范围电源电压:
  • T A = -40 °C至85°C ... 2 V至8 V
  • 在3 V和5 V下完全表征
  • 单电源供电
  • 共模输入电压范围
    在负导轨下方延伸至T A = 25°C时 DD -1 V
  • 输出电压范围包括负轨
  • 高输入阻抗... 10 12 典型
  • ESD保护电路
  • 设计闩锁免疫
  • LinCMOS是德州仪器公司的商标。

参数 与其它产品相比 通用 运算放大器

 
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture
TLV2332 TLV2334
2     4    
2     2    
8     8    
0.525     0.525    
0.43     0.43    
In to V-
Out    
In to V-
Out    
9     10    
0.105     0.105    
32     32    
Catalog     Catalog    
-40 to 85     -40 to 85    
PDIP
SOIC
TSSOP    
TSSOP    
See datasheet (PDIP)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)
8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3(TSSOP)    
14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TSSOP)    
1.7     1.7    
N/A     N/A    
200     200    
91     91    
9     9    
CMOS     CMOS    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 TLV2332 相关库存