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LMG3410单通道氮化镓(GaN)功率级包含一个70mΩ,600V GaN功率晶体管,一个优化的驱动器,并且内置 - 采用低电感8 mm×8 mm QFN封装,提供保护。与基于硅FET的解决方案相比,LMG3410功率级与TI ?? sanalog和数字电源转换控制器相结合,使设计人员能够创建更小,更高效和更高性能的设计。这些优势在隔离的高压工业,电信,企业计算和可再生能源应用中尤为重要。
凭借其集成的驱动器和零反向恢复电流等特性,LMG3410可在硬开关应用中提供可靠的性能,可显着降低开关损耗高达80%。与独立的GaN FET不同,易于使用的LMG3410集成了内置智能,可用于温度,电流和欠压锁定(UVLO)故障保护。
最后,外部可调节的压摆率和低电感QFN封装可最大限度地减少开关损耗,电压振铃和电噪声的产生
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| Configuration |
| VDS (Max) (V) |
| ID (Max) (A) |
| RDS (on) (Milliohm) |
| Coss (pF) |
| VCC (V) |
| Logic Level |
| Prop Delay (ns) |
| Control Method |
| LMG3410 | LMG5200 |
|---|---|
| Single-Channel Power Stage | Half Bridge Power Stage |
| 600 | 80 |
| 12 | 10 |
| 70 | 15 |
| 71 | 266 |
| 12 | 5 |
| 3V to 5V CMOS and TTL | 3V to 5V CMOS and TTL |
| 20 | 29.5 |
| External | External |