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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD87313DMS 30V 双路 N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

数据： CSD87313DMS 30V 双路 N 通道 NexFET功率 MOSFET 数据表

描述

CSD87313DMS是一款30V共漏极，双路N通道器件，专为USB Type-C /PD和电池保护而设计。此3.3mm ×3.3mmSON器件具有低源极至源极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的应用。

特性

低源极至源极导通电阻
双共漏极N通道MOSFET
针对5V栅极驱动进行了优化
低Q _g和Q _gd
低热阻
无铅引脚镀层
符合RoHS标准
无卤素
小外形尺寸无引线（SON ）3.3mm×3.3mm塑料封装

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level

CSD87313DMS	CSD83325L	CSD85302L	CSD87501L
30	12	20	30
Dual Common Drain	Dual	Dual Common Drain	Dual Common Drain
5.5	5.9	24	5.5
			3.9
	52	37	72
28	8.4	6	15
6	1.9	1.4	6
SON3x3	LGA	LGA 1.35x1.35	LGA
6.6	8.4	29
10	10	10	20
0.9	0.95	0.9	1.8
Yes	Yes	Yes	Yes

技术文档

数据手册（1）

CSD87313DMS 30V 双路 N 通道 NexFET功率 MOSFET 数据表

元器件购买 CSD87313DMS 相关库存

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