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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD17318Q2 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET

数据： CSD17318Q2 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A)

描述

这款采用2mm×2mm SON封装的30V，12.6mΩNexFET™功率MOSFET的设计被用来降低功率转换中的损耗，并优化5V栅极驱动器.2mm x 2mm SON针对封装尺寸提供了出色的散热性能。

特性

针对5V栅极驱动器进行优化
低电容和电荷
低R _DS（ON）
低热阻
无铅
符合RoHS环保标准
无卤素
小外形尺寸无引线（SON）2mm x 2mm塑料封装

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level

CSD17318Q2	CSD13202Q2	CSD17313Q2	CSD17571Q2
30	12	30	30
Single	Single	Single	Single
16.9	9.3	32	29
			24
68	76	20	39
6	5.1	2.1	2.4
1.3	0.76	0.4	0.6
SON2x2	SON2x2	SON2x2	SON2x2
20	9.1
10	8	10	20
0.9	0.8	1.3	1.6
25
22	22	5	22
Yes	Yes	Yes	Yes

方框图 (1)

技术文档

数据手册（1）

CSD17318Q2 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A)

元器件购买 CSD17318Q2 相关库存

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