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这款29.7mΩ，-20V P沟道FemtoFETMOSFET技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的封装尺寸而设计。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时大幅减小封装尺寸。
所有商标均为各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| CSD25485F5 | CSD25480F3 | CSD25481F4 |
|---|---|---|
| -20 | -20 | -20 |
| -12 | -12 | -12 |
| Single | Single | Single |
| 42 | 159 | 105 |
| 70 | 260 | 175 |
| 250 | 840 | 800 |
| -31 | -10.4 | -10 |
| -5.3 | -1.7 | -2.5 |
| 2.7 | 0.7 | 0.913 |
| 0.56 | 0.1 | 0.153 |
| 0.67 | 0.26 | 0.24 |
| -0.95 | -0.95 | -0.95 |
| LGA 0.8x1.5 | LGA 0.6x0.7 | LGA 0.6x1.0 |
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