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数据: CSD22204W – 8V P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表
这款-8V,8.2mΩ,1.5mm×1.5mm器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和超薄特性结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| CSD22204W | CSD22202W15 | CSD22205L | CSD22206W |
|---|---|---|---|
| -8 | -8 | -8 | -8 |
| -6 | -6 | -6 | -6 |
| Single | Single | Single | Single |
| 9.9 | 12.2 | 9.9 | 5.7 |
| 14 | 17.4 | 15 | 9.1 |
| 40 | |||
| -80 | -48 | -71 | -108 |
| -5 | -5 | -7.4 | -5 |
| 18.9 | 6.5 | 6.5 | 11.2 |
| 4.2 | 1 | 1 | 1.8 |
| 3.2 | 1.6 | 1.2 | 2.1 |
| -0.7 | -0.8 | -0.7 | -0.7 |
| WLP 1.5x1.5 | WLP 1.5x1.5 | LGA 1.2x1.2 | WLP 1.5x1.5 |