CSD13380F3 CSD13380F3

数据： CSD13380F3 12V N 沟道 FemtoFETMOSFET 数据表

描述

这款63mΩ，12V N沟道FemtoFETMOSFET经过了设计和优化，能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的尺寸。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）的同时大幅减小封装尺寸。

。

R _θJA = 90°C /W，这是一块厚度为0.06英寸（1.52mm）的环氧树脂（FR4）印刷电路板（PCB）上的1英寸²（6.45cm ²），2盎司
（厚度0.071mm）铜焊盘上测得的典型值（覆铜面积最大时的典型值）.R _θJA = 255°C /W（脉铜持续时间≤100μs，占空比≤1％。

特性

低导通电阻
超低Q _g和Q _{gd < /sub>}
高运行漏极电流
超小尺寸
- 0.73mm x 0.64mm
薄型
- 最大高度为0.35mm
集成静电放电（ESD）保护二极管
- 额定值＆gt; 3kV人体模型（HBM）
- 额定值＆gt;
- 符合RoHS环境标准

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level

CSD13380F3	CSD13381F4	CSD13383F4	CSD13385F5	CSD15380F3	CSD17585F5
12	12	12	12	20	30
Single	Single	Single	Single	Single	Single
76	180	44	19	1460	33
					27
13.5	7	27	41	1.6	34
0.91	1.06	2	3.9	0.216	1.9
0.15	0.14	0.6	0.39	0.027	0.39
LGA0.6x0.7	LGA 1.0 x 0.6mm	LGA 1.0 x 0.6mm	LGA 0.8x1.5	LGA0.6x0.7	LGA 0.8x1.5
73	170	53	18	2220
8	8	10	8	10	20
0.85	0.85	1	0.8	1.1	1.3
Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes

技术文档

数据手册（1）

CSD13380F3 12V N 沟道 FemtoFETMOSFET 数据表

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型号：CSD13380F3 封装：PicoStar-3

品牌：TI 描述：MOSFETs N-沟道 12V 3.6A PICOSTAR3

金额：￥3.02162
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