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这款双路小外形尺寸（SO）-8,60V，23mΩNexFET功率MOSFET被设计运行为低电流电机控制应用中的半桥。
顶视图R θJA = 60°C /W，这是在一个厚度0.06英寸环氧树脂（FR4）印刷电路板（PCB）上的1英寸 2 ，2盎司的铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间≤300μs，占空比≤2％
| VDS (V) |
| Logic Level |
| RDS(on) Typ at VGS=10V (Typ) (mOhm) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| QG Typ (nC) |
| Configuration |
| Package (mm) |
| Operating Temperature Range (C) |
| QGS Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| CSD88539ND | CSD88537ND |
|---|---|
| 60 | 60 |
| No | No |
| 23 | 12.5 |
| 28 | 15 |
| 46 | 62 |
| 11.7 | 16 |
| 14 | 14 |
| Dual | Dual |
| SO-8 | SO-8 |
| -55 to 150 | -55 to 150 |
| 4.6 | 4.6 |
| 2.3 | 2.3 |
| 20 | 20 |
| 3 | 3 |
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