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数据： CSD18504KCS 40V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)
这款40V，5.5mΩ，TO-220 NexFET功率MOSFET被设计成功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。最大R θJC =1.3ºC/W，脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1％
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD18504KCS | CSD18503KCS | CSD18510KCS | CSD18511KCS |
|---|---|---|---|
| 40 | 40 | 40 | 40 |
| Single | Single | Single | Single |
| 10 | 6.8 | 2.6 | 4.2 |
| 7 | 4.5 | 1.7 | 2.6 |
| 238 | 358 | 400 | 400 |
| 19 | 30 | 119 | 64 |
| 3.5 | 4.6 | 21 | 9.7 |
| TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| 20 | 20 | 20 | 20 |
| 1.9 | 1.9 | 1.7 | 1.8 |
| 89 | 142 | 274 | 194 |
| 100 | 100 | 200 | 110 |
| Yes | Yes | Yes | Yes |
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