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CSD16327Q3 N 通道 NexFET 功率 MOSFET。

数据:

描述

这款25V,3.4mΩ,SON 3.3mm×3.3mm NexFET™功率MOSFET用于最大限度降低功率转换应用中的功率损耗并经优化以适用于5V栅极驱动器应用。

特性

  • 针对5V栅极驱动器进行优化
  • 超低Q g 和Q gd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合RoHS标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线(SON)3.3mm×3.3mm塑料封装

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD16327Q3 CSD16323Q3 CSD16340Q3
25     25     25    
Single     Single     Single    
4.8     5.5     5.5    
112     112     115    
6.2     6.2     6.5    
1.1     1.1     1.2    
SON3x3     SON3x3     SON3x3    
    6.1    
10     10     10    
1.2     1.1     0.85    
  21      
60     60     60    
Yes     Yes     Yes    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CSD16327Q3 相关库存