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CSD16409Q3 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据:

描述

NexFET™功率MOSFET旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低热阻
  • 雪崩额定
  • 无铅端子电镀
  • 符合RoHS标准
  • 无卤素
  • SON 3.3mm x 3.3mm塑料封装
  • 应用
    • 适用于网络,电信和计算系统应用的负载点同步降压转换器
    • 针对控制FET进行了优化应用

NexFET是德州仪器的商标。

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD16409Q3
25    
Single    
12.4    
8.2    
90    
4    
1    
SON3x3    
16    
2    
60    
Yes    

技术文档

数据手册(1)
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