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该器件采用LinCMOS制造？该技术由两个独立的电压比较器组成，每个电压比较器均设计为采用单电源供电。如果两个电源之间的差异为4 V至18 V，也可以使用双电源供电。每个器件都具有极高的输入阻抗（通常大于10 12 
），允许直接与高阻抗源接口。输出为n沟道开漏配置，可以连接以实现正逻辑线与关系。
TLC372具有内部静电放电（ESD）保护电路，并已分类为2000-使用人体模型（HBM）测试的V ESD额定值。但是，在处理此器件时应小心，因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。
TLC372的工作温度范围为-55°C至125°C。
Typ （1）符合JEDEC和行业标准的元件认证，确保在扩展温度范围内可靠运行。这包括但不限于高加速应力测试（HAST）或偏压85/85，温度循环，高压釜或无偏HAST，电迁移，键合金属间寿命和模塑化合物寿命。此类鉴定测试不应被视为超出规定性能和环境限制使用此组件的合理性。
LinCMOS是德州仪器的商标。
| Number of Channels (#) |
| Output Type |
| Vs (Min) (V) |
| Vs (Max) (V) |
| Propagation Delay Time (uS) |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
| Iq per channel (Max) (mA) |
| Input Bias Current (+/-) (Max) (nA) |
| Rail-to-Rail |
| Features |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| VICR (Max) (V) |
| VICR (Min) (V) |
| TLC372-EP |
|---|
| 2 |
| Open Collector Open Drain |
| 4 |
| 16 |
| 0.2 |
| 5 |
| 0.15 |
| 0.03 |
| Out |
| N/A |
| HiRel Enhanced Product |
| -55 to 125 |
| SOIC |
| 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) |
| 15 |
| 0 |
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