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TLC2201是一款精密,低噪声运算放大器,运用了TI先进的LinCMOS制造工艺。该器件将极低噪声JFET放大器的噪声性能与以往仅双极型放大器可提供的直流(dc)精度完美地组合在了一起。高级LinCMOS工艺采用硅栅技术来获得远远超过采用金属栅技术所能获得的随温度和时间变化的输入失调电压稳定性。此外,这项工艺技术还可实现达到或超过顶栅JFET和昂贵的介质隔离器件所提供的输入阻抗位准(阻抗水平)。
由于兼具卓越的直流和噪声性能以及一个包括负电源轨的共模输入范围,因而使得这些器件非常适合于单电源或分离电源配置中的高阻抗,低电平信号调节应用。
器件输入和输出专为承受-100mA的浪涌电流而设计,而不会发生持续闭锁的现象。此外,依据MIL-PRF-38535,方法3015.2所进行的测试还证实:该器件的内部ESD保护电路可防止在高达2000V的电压条件下出现功能故障;不过,在使用这些器件时应谨慎从事,因为遭受ESD有可能导致参数性能的下降。
TLC2201针对完整军用温度范围内(-40℃至125℃)的运作进行了特性分析。
LinCMOS是德州仪器的商标。
| Number of Channels (#) |
| Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
| Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
| GBW (Typ) (MHz) |
| Slew Rate (Typ) (V/us) |
| Rail-to-Rail |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
| Iq per channel (Typ) (mA) |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Output Current (Typ) (mA) |
| Offset Drift (Typ) (uV/C) |
| Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
| Architecture |
| IIB (Max) (pA) |
| CMRR (Typ) (dB) |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| TLC2201-SP |
|---|
| 1 |
| 4.6 |
| 16 |
| 1.8 |
| 2.5 |
| In to V- Out |
| 0.2 |
| 1 |
| Space |
| -55 to 125 |
| LCCC |
| 4.5 |
| 0.5 |
| 8 |
| CMOS |
| 60 |
| 110 |
| 20LCCC: 79 mm2: 8.89 x 8.89(LCCC) |