台积电2nm芯片计划于2025年实现量产
台积电正式公布2nm制造技术，该工艺广泛使用EUV光刻技术，首次采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术和背面供电技术，计划于2025年实现量产。
台积电2nm芯片将性能提升10%-15%，功耗降低25%-30%，芯片密度增加了 1.1 倍以上，与3nm相比，其性能和功耗都将实现大幅度升级。
据悉，台积电或将在2024年开始使用2nm制造技术风险试产，首批2nm芯片预计于2025年末或2026年量产上市。除此之外，台积电还计划在2024年引进ASML下一代High-NA EUV最强光刻机，用以制造芯片。
综合整理自半导体行业观察、Tech情报局
审核编辑：汤梓红
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