力旺推出可编写次数超过50万次的嵌入式EEPROM

IP供应商力旺电子极力布局车用电子市场，提出可编写次数超过50万次的嵌入式EEPROM（电子抹除式可复写唯读存储器）矽智财（Silicon IP），来因应车用市场的需求，且不需要额外加光罩即可应用于现有平台上，不单是车用电子，也可用于指纹识别、电源管理IC、NFC、RFIC等。

力旺这次提出可编写次数超过50万次的嵌入式EEPROM，是强化版IP，也是力旺NeoEE嵌入式EEPROM家族的最新产品，而这个新版IP的编写次数是原版的数十倍，同时编写/抹除（Program/Erase）时间减少将近50%，资料保存期限在150°C高温操作下，更可以高达10年之久。

力旺分析，新版的NeoEE与现有逻辑制程和车规常用的BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）制程完全相容，不需要加光罩即可整合至不同类型的制程平台，且该IP已经通过晶圆厂0.18微米5V制程平台的验证，目前正在着手布建将这项技术转至其他5V平台。 在应用方面，力旺指出，强化版NeoEE非常适合有高编写需求的应用，包括指纹识别芯片、智能卡、NFC、RFID，电源管理IC和微处理器（MCU）等。值得注意的是，这项IP的耐受度（endurance）、高温操作、生命周期都是依照AEC-Q100的车规标准设计，未来也会主打车用市场。 NeoEE 矽智财以标准5V MOS制程平台为开发基础，容易整合至车用电子常使用的高压（HV）及BCD等制程平台，从成本和安全的角度来看，NeoEE最适合取代传统外挂式EEPROM。

一般可编写存储器在经过重复编写后，稳定度会递减，主要是因为重复编写会改变存储器的电子分布，导致编写和抹除位元间的信号差异愈来愈不明显，最后会无法分辨。

力旺这次将新IP可以达到重复编写次数提升至50万次以上的水准，主要是透过优化存储器单元架构及采用新的编写/抹除运算法，来减轻重复编写造成的存储器损耗。

经过测试，强化版NeoEE经历长达2，500个小时150°C的高温后，编写和抹除位元状态稳定，并无电流（压）增加或流失的现象。

再者，NeoEE结构简单，抹写次数可高达1，000至50万次以上，最高容量达16K bits，可操作温度区间为-40~150°C，资料保存期限长达10年。 由于与现有逻辑制程完全相容，NeoEE无需外加任何光罩即可整合至不同类型之制程平台，可以降低半导体厂导入的成本，并且节省产品开发时间。