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电子发烧友网>存储技术>相变随机存取存储器(PCRAM)制造工艺

相变随机存取存储器(PCRAM)制造工艺

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随机存取存储器VDMR20M40xS84xx5V35用户手册

VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术它被组织为512K x 8bit宽数据接口的五个独立模具。
2022-06-08 10:31:022

随机存取存储器VDMR16M08xS54xx4V35用户手册

VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SIP制造技术,该设备堆叠4个4-Mbit MRAM模具。它由四个512K x的独立模具组成8位宽的数据接口。
2022-06-08 10:28:211

随机存取存储器VDMR16M08xS44xx1V35用户手册

VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻随机存取存储器。该器件采用VDIC高密度SiP技术制造,可堆叠16 Mbit MRAM芯片。它是有组织的作为一个2M x 8bit宽数据接口的独立模具。
2022-06-08 10:26:541

随机存取存储器VDMR8M32xS68xx8V35用户手册

VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术,该模具堆叠八个1-Mbit MRAM模具。它由八个128K的独立模具组成8比特宽的数据接口。
2022-06-08 10:25:441

随机存取存储器VDMR4M08xS44xx4V35用户手册

VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术,该模具堆叠四个1-Mbit MRAM模具。它由四个128K x的独立模具组成8位宽的数据接口。
2022-06-08 10:20:131

随机存取存储器VDMR4M08xS44xx1V35用户手册

VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术它被组织为512K x 8bit宽数据接口的一个独立模块。
2022-06-07 16:04:271

随机存取存储器VDMR2M16xS54xx2V35用户手册

VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术它被组织为一个128K x 16位宽数据接口的独立模块。
2022-06-08 10:18:481

纳秒级读写时间和擦除/写入的高性能存储器

基于原子级锐利界面的范德瓦尔斯异质结超快浮栅存储器具有和动态随机存取存储器(10 ns)相当的编程速度,同时具备非易失、大容量的存储特性。
2022-06-10 16:15:101522

W9825G6KH高速同步动态随机存取存储器英文手册

W9825G6KH是一种高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),由4M字×4组×16位组成。W9825G6KH提供高达每秒200兆字的数据带宽。为了完全符合个人计算机行业标准,W9825G6KH
2022-09-29 11:42:060

易失性存储器(VM)

在过去几十年内,易失性存储器没有特别大的变化,主要分为DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器)。它在任何时候都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存)。
2022-11-29 15:56:463115

磁性随机存取存储器(MRAM)制造工艺

磁性隧道结(MTJ)通常是由两层铁磁材料中间夹着薄绝缘屏蔽(MgO 或Al2O3)层组成的,它可以实现双稳态隧道磁电阻 ( Tunneling Magneto - Resistance, TMR),此特性可用于存储逻辑数据“1”或“0”。
2023-02-01 17:11:42852

动态随机存储器集成工艺(DRAM)详解

在当前计算密集的高性能系统中,动态随机存储器(DRAM)和嵌入式动态随机存取存储器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器。先进的 DRAM 存储单元有两种,即深沟
2023-02-08 10:14:575004

浅析动态随机存储器DRAM集成工艺

在当前计算密集的高性能系统中,动态随机存储器(DRAM)和嵌入式动态随机存取存储器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器
2023-02-08 10:14:39547

随机存取存储器的诞生

无论是在网飞上看电影、玩电子游戏,还是单纯地浏览数码照片,你的电脑都会定期进入内存获取指令。没有随机存取存储器(RAM),今天的计算机甚至无法启动。
2023-05-30 15:19:55317

回顾易失性存储器发展史

,非易失性存储器在计算机关闭后存储数据仍保留在计算机中。易失性存储器的主要特征是它们需要电源来维持其存储状态。主要分为两种类型:静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。 1963年,Fairchild发明了SRAM。作为即1959年I
2023-06-28 09:05:28878

动态随机存取存储器(DRAM)的相关知识

本文将介绍芯片设计中动态随机存取存储器(DRAM)的相关知识,包括其工作原理、分类以及在现代电子设备中的应用。
2023-10-23 10:07:34819

简单认识静态随机存取存储器

,VM)两大类。例如,人们熟知的闪速存储器 ( Flash Memory,简称 Flash)就属于 NVM,静态随机存取存储器 (Static Random Access Memory, SRAM)和动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)则属于 VM。
2023-11-16 09:14:06413

简单认识动态随机存取存储器

20世纪70 年代到 90年代中期,动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory ,DRAM) 采用的是异步接口,这样它可以随时响应控制输入信号的变化从而直接影响
2023-11-17 09:26:27382

低功耗双倍速率同步动态随机存取存储器介绍

低功耗双倍速率同步动态随机存取存储器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)简称为 LPDDR,是DDR SDRAM 的一种,由于广泛用于移动
2023-11-21 09:37:36257

英飞凌推出新型抗辐射异步静态随机存取存储器

英飞凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布,扩展其集成嵌入式纠错码(ECC)的抗辐射异步静态随机存取存储器(RAM)产品线。这款新产品的设计初衷是为了满足航空和其他极端环境中的高性能计算需求。
2024-01-24 17:11:39359

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