三星计划采用12纳米技术，提升内存模组容量
日前有信息称，三星将采用 12纳米 (nm) 级工艺技术，生产ERP开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而这样就可以在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍。
三星方面表示：在三星最新推出的 12纳米级 32Gb内存的基础上，三星可以研发出实现 1TB内存模组的解决方案，这有助于满足人工智能和大数据时代对于大容量DRAM内存日益增长的需求。
通过使用最新开发的 32Gb内存颗粒，即使不使用硅通孔 (TSV)工艺也能够生产 128GB内存模组。与使用 16Gb 内存封装的 128GB内存模组相比，其功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效的企业的优选解决方案。
审核编辑：汤梓红
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