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工业驱动使用SiC MOSFET提高能效

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MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异,以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响 ,作为安森美提供的全方位
2023-06-25 14:35:02377

SiC MOSFET器件技术现状分析

对于SiC功率MOSFET技术,报告指出,650-1700V SiC MOSFET技术快速迭代,单芯片电流可达200A。提升电流密度同时,解决好特有可靠性问题是提高技术成熟度关键。
2023-08-08 11:05:57428

如何优化SiC栅级驱动电路?

点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用,碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压
2023-11-02 19:10:01361

SiC设计干货分享(一):SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨

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2023-12-05 17:10:21439

SiC MOSFET的桥式结构

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2023-12-07 16:00:26157

SIC MOSFET驱动电路的基本要求

SIC MOSFET驱动电路的基本要求  SIC MOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种新兴的功率半导体器件,具有良好的电气特性和高温性能,因此被广泛应用于各种驱动电路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417

怎么提高SIC MOSFET的动态响应?

怎么提高SIC MOSFET的动态响应? 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题,涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中,我们将详细讨论如何提高SIC MOSFET的动态响应,并提供一些
2023-12-21 11:15:52272

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