存储技术
存储芯片市场升温，DRAM价格连续两个月上涨
存储模组大厂威刚发布2023年财报数据，2023年全年合并营收达337亿新台币，同比下降3.9%。
2024年DRAM投片量：一季度微增，下半年剧增
DRAM稼动率缓步改善，业界认为，整体DRAM投片量从2024年第1季将逐季提升，较2023年第4季小幅提升约5%左右，下半年投片量回升速度将明显加快。
2024-01-23 标签：DRAM存储芯片Nand flash 1180
NAND封装短缺导致大容量SSD价格暴涨
消息人士指出，NAND封装短缺对供应链的全面影响可能需要两到三个月的时间，届时一些最好的2TB和4TB固态硬盘的价格将 "暴涨"。
英特尔重返龙头，英伟达首次跻身前五
由于全球存储芯片需求锐减，拖累了2023年全球半导体营收萎缩11%至5330亿美元。其中，2023年全球存储芯片营收暴跌37%，DRAM暴跌38.5%至484亿美元，NAND Flash暴跌37.5%至362亿美元。
2024-01-19 标签：英特尔DRAMNand flash英伟达三星 931
康芯威亮相CES 2024 多元化存储解决方案大放异彩
当地时间2024年1月12日，CES （国际消费类电子产品展）在美国拉斯维加斯完美谢幕，为期4天的科技盛宴吸引了全球4000余家科技企业参展，中国企业在其中的占比也逐年递增。 作为科技行业的“风向标”，本届CES的展品覆盖消费电子、AI、元宇宙、5G、汽车电子等数十个细分领域，让观众全面洞悉未来科技发展新貌。其中5G、AI、云计算等技术快速发展，也使得如今对存储产品的需求不可同日而语，也给存储产业带来更大的发展机遇，亦是我国加速建设本土
2024-01-16 标签：康芯威 950
SK海力士：挑战美国限制，推进中国半导体技术升级
无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。
三星财报：存储市场疲软，寻求新增长点
去年第四季度，三星营业利润下降35%，至2.8万亿韩圆（约合人民币153亿元），逊于分析师的平均预期3.7万亿韩圆。公司该季度营收为67万亿韩圆（约合3664亿元），低于分析师平均预期的70.31万亿韩圆。
市场需要密切关注8个存储趋势
Boland指出存在三种主要的存储类型：对象、块和文件。他说，“对象存储是唯一能够以EB规模提供低成本和高性能的存储。”Boland补充说，最近的IDC调查显示，80%的受访者认为对象存储可以支持他们的顶级IT计划，包括物联网、报告和分析。
NAND芯片未来报价涨幅至少会达五成
综观全球储存型快闪记忆体（NAND Flash）市场排名，研调机构Omdia报告显示，三星以34.3%市占率位居龙头，第二名是日商铠侠（市占率19.5%），美国威腾电子居于第三（市占率15.9%），SK海力士排第四（市占率约15.1%）。
2024-01-04 标签：芯片NAND存储芯片Nand flash三星 891
面对SSD竞争压力，硬盘驱动器正逐步迈向复苏
希捷则有意发布HAMR（热辅助磁记录）技术，并制定了50 TB及以上容量的发展路线图。早在2021年4月，希捷公司CEO Dave Mosely就曾表示，该伺计划“在今年下半年开始交付多个版本的20 TB（HAMR）硬盘。
踏碎凌霄 王者归来 | 佰维存储“悟空”系列电竞存储重磅来袭...
电竞产业稳步发展，带动游戏硬件领域的旺盛需求。在电子竞技比赛中，“失之毫厘，差之千里”，一款高性能、稳定可靠的电竞存储产品是每位游戏爱好者的必备之选。近日， 佰维存储为电竞消费者倾力打造的“悟空”系列存储产品首发上市 ，旨在满足电竞玩家和超频专家的实际性能需求，为电竞爱好者提供焕然一新的流畅体验。 悟空系列承载了佰维存储对产品不断创新、追求卓越的匠心独运，致力于为电竞用户开创突破性的体验。基于公司在
佰维发布CXL 2.0 DRAM，赋能高性能计算
导语： CXL是一种开放式全新互联技术标准，可在主机处理器与加速器、内存缓冲区、智能I/O设备等设备之间提供高带宽、低延迟连接，从而满足高性能异构计算的要求，并且其维护CPU/GPU内存空间和连接设备内存之间的一致性，突破内存墙瓶颈，缩减整体响应时间。此外，CXL支持部署新的内存层，可以弥合主内存和SSD存储之间的延迟差距。 随着AI应用爆发，“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和电气接口之上， CXL内存扩
2023-12-27 标签：佰维 1139
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