存储技术
存储器影响人工智能发展 SRAM和DRAM仍是主流
边缘计算性能的提升给存储器的设计，类型的选择和配置都带来挑战，这也导致在不同的应用市场中需要进行更复杂的权衡。
浪潮布局存储平台战略，发布新一代G5存储平台
在存储平台战略下，本次发布的新一代G5存储平台——浪潮数据中心级分布式存储平台AS13000G5及浪潮数据中心级高端存储平台AS18000G5，在交付浪潮一贯的高可靠、高扩展、高性能存储产品的基础上，以EB级极致容量、亿级IOPS极速性能、弹性灵活的极简架构及一致高效、自动运维的极易管理特性实现“云存智用 运筹新数据”，突破企业数字化转型的存储瓶颈。
在库存尚未去化完成的影响下 DRAM均价跌势恐将持续至第三季
集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，受库存过高影响，DRAM第一季合约价跌幅持续扩大，整体均价已下跌逾20%。然而价格加速下跌并未刺激需求回温，预计在库存尚未去化完成的影响下，DRAM均价跌势恐将持续至第三季。
苹果发行的信用卡：Apple Card
3月26日凌晨消息，春季发布会刚刚结束，苹果公司宣布了“Apple Card”，该公司称这是“一种由苹果而非银行开发的新型信用卡”。
2019-03-26 标签：苹果 1250
IDC调整对NAND闪存的供需预测
IDC调整了其对NAND闪存的供需预测，称2019年和2020年的比特量（bit volume）将同比增长39％和38％。并预计闪存价格的降低趋势可能会放缓。
杰和2U双节点高密度机架式服务器，先进的管理功能和存储技术
近年来，伴随着云计算技术向政府、制造业、电信、能源、物流等传统行业普及，多节点服务器开始出现并应用到这些传统领域，例如电信运营、12306以及各地政府云数据中心等。多节点服务器是根据云计算和大型云数据中心部署要求而设计的，是一种创新的服务器形态。
美光科技新财报营收超市场预期 但营收增速放缓面临的挑战加剧
3月21日，DRAM和NAND芯片市场领导者美光科技公司发布了该公司的2019财年第二财季财报。根据财报来看，美光科技在这个季度的营收跟净利润都超出华尔街分析师的预期，周三晚间公布季度收益后，该公司股价盘中一度触及44.21美元的高点，收盘上涨9.6%至43.99美元。截止文章发稿，美光科技盘后股价相比昨天跌了0.25%，股价跌为43.88美元，但这个股价表现已经算是不错。 作为全球半导体领先企业，同时也是三星之下最大的DRAM存储芯片厂商，美光科技在半导
2019-03-23 标签：美光科技 714
浪潮云海OS助力赤峰互联网+政务创新应用
全球范围内，云计算、大数据技术在推动经济发展，完善社会治理，提升政府服务和监管能力方面发挥的重要作用已经成为共识。我国“十三五”规划明确提出“实施国家大数据战略”，把云计算大数据作为助力产业转型升级和社会治理创新的重要抓手。
NAND Flash价格综合季跌幅近20% 第二季或有扭转
集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查指出，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季各类NAND Flash产品合约价综合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。
存储芯片迎来下跌 芯片代工业务被寄予厚望
三星电子联席CEO表示由于全球贸易紧张的局势，以及经济成长放缓和数据中心企业对存储晶片需求下滑，这将导致这家全球最大的存储芯片企业业绩受损，不过它并不会因此缩减对半导体行业的投资，此举或许意味着它将继续加大对半导体业务的投入，其中之一将芯片代工业务，这将导致它与芯片代工行业老大台积电的竞争加剧。
继手机业务下滑以后内存也遭受打击 2019年将是三星困难的一...
据报道，随着全球经济局势紧张，半导体市场放缓以及数据中心对内存的需求下滑，在手机业务下滑之后，三星的又一支柱型业务恐将遭受巨大打击。
三星突破DRAM的扩展极限 成功研发10nm级DDR4内存
据消息，作为先进存储器技术的全球领导者，三星电子今（21）日宣布第三代10纳米级（1z-nm）8GB超高性能和高功效的DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。自开始批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来仅仅16个月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4，说明三星突破了DRAM的扩展极限。
内存芯片跌幅在扩大 三星面临着新考验
作为手机行业的上游内存芯片企业一度因为智能手机的火爆而赚了个盆满钵满，不过随着智能手机销量的停滞或略有下滑，上游产业的赚钱能力也打了折扣，收益面临着新的挑战。尤其是内存芯片市场，我们关注到内存芯片价格已经暴跌了近三成了，曾经的高收益或将一去不复返了，内存芯片巨头的布局却没有减少，还在纷纷地扩大产能，不过其中的旗舰企业其实也在悄然的转型，布局更加高工艺的产品，比如7nm、5nm技术等等。
5G时代正在来临 全闪存阵列全面化已经开始
今天，基于互联网的各个应用已经成为人们生活、生产等方式的必备品。在大家轻松的点击一下的背后，是否想到，其背后的数据中心是怎样通过技术的不断升级换代，来支撑起“每个人的轻松点击一下”的。
相变存储器的工作原理和最新的研究进展
近年来，非易失性存储技术在许多方面都取得了一些重大进展，为计算机系统的存储能效提升带来了新的契机，采用新型非易失性存储技术来替代传统的存储技术可以适应计算机技术发展对高存储能效的需求。以相变存储器为代表的多种新型存储器技术因具备高集成度、低功耗等特点而受到国内外研究者的广泛关注，本文介绍相变存储器的工作原理、技术特点及其国内外最新研究进展。 一、相变存储器的工作原理 相变存储器(Phase Change Random Access Memo
三星将批量生产史上最大容量的移动式DRAM
三星电子14日表示，将批量生产史上最大容量的移动式DRAM“12GB LPDDR4X”（Low Power Double Data Rate 4X）。
紫光国产SSD硬盘或将上市 P/E次数可达1500次
闪存去年到现在一直降价，SSD硬盘价格便宜多了，只不过这些SSD所用的闪存几乎都来自三星、美光、东芝、西数、英特尔、SK Hynix等六家公司，国内厂商依然没有能真正量产NAND闪存的。去年国内进口了总价值886亿美元的存储芯片，DRAM内存及NAND闪存尚无国产的，目前真正有可能量产的就是紫光旗下的长江存储。日前有消息称紫光纯国产的SSD硬盘就要上市了，使用是他们研发生产的64层堆栈3D TLC闪存，P/E次数可达1500次，这个技术及规格在主流SSD中已经不低了。
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