存储技术
打造一个好的存储产品，真“芯”不改！
做存储将近17年历史江波龙电子，一直坚持对存储产品的耕耘，目前产品包含U盘、卡类、SSD以及eMMC，公司秉持DMS的服务理念，不断创新存储产品设计与研发，一直为消费者、客户以及合作伙伴带来更具竞争力的产品和更专业的服务，致力为客户产品创造更多的价值。
富士通FRAM“上天入地” 拓展更多低功耗、高可靠性应用空间
据富士通展台工程师介绍，从要抗宇宙辐射的卫星装置，到颇接地气的无电池舒适智能家居设备，已处处可见这种先进非易失性嵌入式存储技术的身影。除FRAM外，在本次展会上富士通还展示了继电器Relay、设计可追溯管理工具SQTRACER等领先技术。
重拳出击，江波龙推出一体化模块产品SDP
江波龙SSD产品总监钟孟辰表示，SDP™就是SATA Disk in Package，是将SSD主控芯片、Flash芯片在封装厂封装成一体化模块，经过开卡量产、测试后出厂，这种产品形态相当于SSD的半成品，只需要加上外壳就能成为完整的SSD产品。
SSD与HDD价格已持平！再也不用担心买不起固态硬盘了
据最新报告称，SSD固态硬盘价格已经降至非常合理的位置，预计2018年将有超过一半的笔记本电脑标配SSD，使得笔记本速度大幅提升。
公有云和私有云的区别 如何搭建云存储
名字的改变不会改变其本质，它仍然是一种能提供更好服务的存储架构技术。我们不得不承认的是，不管选择的是哪个品牌的产品，企业都会受益于所选择的私有云架构。
2016-08-22 标签：云存储 2377
西部数据表示：电阻式内存技术并非徒劳一场
在完成对SanDisk公司的收购之后，西部数据正积极利用ReRAM——即电阻式RAM技术——对英特尔与美光打造的XPoint发起冲击。
新研究成果相变内存 比传统DRAM快1000倍
下一代内存的读取速度会比现在快多少?来自美国斯坦福大学的研究人员认为，相变内存(Phase-Change Memory，PCM)很可能是现在DRAM内存性能的1000倍。
2016-08-18 标签：相变内存 1359
英特尔牵手大连市政府生产Nand flash芯片
英特尔投资 55 亿美元转型建造的大连 NAND Flash 厂房已完工，并于 25 日正式投产。报导指称，位于辽宁省大连市金普新区的该厂区，为全球首座以 12 寸（300mm）晶圆生产 NAND Flash 的制造中心，目前有逾千名英特尔员工与数千名设备项目建设正加紧工作，以期早日量产。
2016-08-17 标签：Nand flash 1350
希捷推出60TB固态硬盘 直接碾压三星15TB世界纪录
基于闪存的固态硬盘（SSD）开始取代古老的机械硬盘，而几家固态硬盘制造商，似乎展开了一场“存储容量军备竞赛”。日前，希捷公司宣布推出60TB固态硬盘，这创造了新的固态硬盘容量世界纪录。
入门级SSD井喷在即，Marvell加强与中国厂商合作
“Marvell是独立SSD控制器厂商的NO.1，是行业创新的领导者，Marvell选择与longsys合作是对我们实力的肯定，固件和封装是longsys的强项，我们相信结合双方优势的产品必将在未来的市场中取得更大的成功。”longsys SSD产品总监钟孟辰表示。
DRAM垄断化加剧，台湾存储产业下滑
过去三、四年来，DRAM市场主要由三星电子、SK海力士与美光所垄断，三巨头在全球的合并市占率达90%，但情势可能改变。在DRAM市场景气不佳的局面下，市场龙头三星电子的营业利益仍达数十兆韩元，排行第三的美光则开始亏损。
英特尔大连项目提前实现投产 带动新项目投资
去年10月，英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的非易失性存储器制造工厂。该项目是迄今为止英特尔在中国的最大一笔投资，也是大连市乃至辽宁省改革开放以来最大的外资项目。
2016-07-26 标签：英特尔 1103
打造先进存储芯片 紫光集团收购武汉新芯多数股权
紫光集团已收购武汉新芯集成电路制造有限公司多数股权。之前，武汉新芯曾打造规模为240亿美元的存储芯片制造中心。现在中国建造先进存储芯片工厂的两大主要项目已进行了合并。
2016-07-26 标签：存储芯片 1587
储存新技术：原子储存信息正在变为现实
现在，原子储存信息的技术正在变为现实。荷兰代尔夫特理工大学科维理纳米科学研究所桑德·奥特领导的研究小组，证明利用原子储存大量信息是可行的。
2016-07-25 标签：IBM 1635
RRAM：走向新型嵌入式存储之路
据Web-Feet Research等分析公司预测，到2018年，消费类电子设备的嵌入式内存市场将突破28.8亿美元，现在是我们为这一问题想出解决方案的时候了。如果传统内存技术无法满足未来需求，那么哪种技术能够满足？随着闪存在消费类电子产品设计中无处不在的应用，是否可以考虑替代现有的过时技术？
三星发布UFS存储卡 速度比肩SSD是microSD卡五倍
UFS存储卡在多媒体资料传输上具有优势，其连续读取速度可达每秒530MB，与SATA固态硬碟相当，是一般microSD卡的5倍，连续写入速度则是高阶microSD卡的2倍。以读取5GB的Full HD电影时，UFS卡只要10秒，而microSD则需50秒。
企业级SSD储存容量超越传统硬盘 新局面到来
企业级SSD储存容量正式超越传统硬盘，10TB以上超大容量SSD时代已将到来，将给企业储存应用带来新的局面。
西数/希捷/QLogic等厂商高管谈存储器未来发展
各位高管人员探讨了磁盘驱动器市场需求、HAMR磁盘驱动器技术、NVMe over Fabrics、第六代光纤通道以及其它行业所关注的重要议题。
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