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美光起诉台湾联电,离职员工携带机密跳槽联电

美国记忆体大厂美光（Micron）在台湾控告晶圆代工大厂联电（UMC），表示联电透过美光离职员工窃取 DRAM 相关机密商业资料而遭检方起诉之后， 6 日又在美国加州地方法院提起民事诉讼，控告联电及其技术协助的福建晋华侵害该公司的 DRAM 专利技术。

2017-12-07 标签：dram 联电美光 3052

SAN（Storage Area Network）存储方式存储方式创造了存储的网络化。存储网络化顺应了计算机服务器体系结构网络化的趋势。SAN的支撑技术是光纤通道（FC Fiber Channel）技术。它是ANSI为网络和通道I/O接口建立的一个标准集成。FC技术支持HIPPI、IPI、SCSI、IP、ATM等多种高级协议，其最大特性是将网络和设备的通信协议与传输物理介质隔离开，这样多种协议可在同一个物理连接上同时传送。

2017-12-07 标签：数据存储 nas 2098

基于7nm打造的HBM3/DDR5内存技术参数公布

Rambus首次公布HBM3/DDR5内存技术参数，最大的关注点在于都是由7nm工艺制造。7nm工艺被认为是极限，因为到了7nm节点即使是finfet也不足以在保证性能的同时抑制漏电。所以工业界用砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能，7nm是一项非常复杂的技术。

2017-12-07 标签：内存 7nm ddr5 HBM3 2400

长江存储备战2年,发布324G 3D NAND芯片,明年可量...

紫光集团董事长赵伟国近日在第四届世界互联网大会表示，近年来，紫光集团把企业发展的重点聚焦在了集成电路上。在移动领域，紫光现在每年向全球提供的手机芯片超过7亿部套片;在存储领域，紫光已经研发出了32层64G的完全自主知识产权的三维闪存芯片，明年将实现量产。

2017-12-07 标签：集成电路紫光集团长江存储 2196

韩企占据全球存储芯片主导权,中国竞争实力有限

整体而言，第三季度全球DRAM内存芯片市场的规模达到197亿美元，较前一季度增长大约35%，再创历史新高。报告显示，按照营收计算，三星电子第三季度占据了全球DRAM内存芯片市场44.5%的份额；另一家韩国厂商SK海力士紧随其后，市场份额达到27.9%。美国存储芯片制造商美光科技在该榜单中位居第三，市场份额达到22.9%；中国台湾的南亚科技位居第四，市场份额为2.2%。

2017-12-07 标签：三星电子存储芯片 sk海力士 1274

三星增产NAND,分析师预测明年内存将供过于求

IHS Markit报告预估，明年全球NAND flash供给将提高39.6%、至2，441亿GB。其中三星电子将带头增产，预料供给将增39%至879亿GB。与此同时，明年全球NAND需求提高36.7%至2，424亿GB，供给超出需求17亿GB，供给过剩比率约为0.7%。

2017-12-06 标签：dram nand 三星电子 sk海力士 747

三星发布512GB闪存芯片,面向移动设备开发,手机存储将匹敌...

三星表示，这款512GB的闪存芯片专门面向移动设备开发，其中整合了八个多层存储数据的V-NAND芯片。和过去三星256GB的芯片相比，虽然容量翻一倍，但是使用的空间却相同。这给手机设计带来了福音。

2017-12-06 标签：闪存三星电子 1596

紫光国芯现金扶持紫光同创,与长江存储合作有望

西安紫光国芯主要从事DRAM存储晶圆的设计，目前产品主要为专业代工厂生产。近年来，由于下游智能手机等智能终端产业的快速发展，存储芯片需求大大增加，而目前市场上的代工厂数量较少，为了争取到有限的产能，公司提升了给代工厂的费用，导致在需求旺盛的时候，公司存储芯片产品的毛利却持续下降。

2017-12-05 标签：dram 紫光国芯长江存储紫光同创 2655

三星首款512GB嵌入式UFS闪存量产,可6秒下载5GB的高...

三星512GB UFS闪存开始量产，它具有860MB/s读取速度和255MB/s写入速度，它的存在必将灭亡手机存储卡。

2017-12-05 标签：闪存三星电子 2028

东芝、西数达成和解,归回东芝闪存芯片业务出售自由权

知情人士称，东芝公司和西部数据公司接近达成一项协议，和解双方的法律纠纷。根据协议，西数将不再阻止东芝以180亿美元出售闪存芯片业务，以延长双方的合资公司协议。

2017-12-01 标签：东芝闪存芯片西数 1176

东芝推出新型UFS2.1闪存,读取速度900MB/s,写入速...

目前，东芝设计了32GB、64GB、128GB和256GB四种容量，全部单芯片封装，尺寸在11.5x13mm以内。

2017-12-01 标签：东芝三星电子 ufs 3898

储存市场陷入无DRAM可买窘境,PC厂商欲哭无泪

受惠于DRAM市场交易热络，三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）持续缔造业绩高峰，但韩国中小规模个人电脑（PC）厂商却苦不堪言。因为这些厂商已经取得公部门的PC采购订单，却因无DRAM可用，导致产品无法如期出货。

2017-12-01 标签：dram 三星电子 sk海力士 946

打破存储器国外把持,紫光要圆自产梦,启动南京存储器基地

紫光南京半导体产业基地主要将生产3D NAND FLASH存储芯片和DRAM存储器芯片，一期占地约700亩，二期占地约800亩;这也是紫光拟在武汉投资控制长江存储、在成都打造晶圆厂，另一个紫光大型的存储器生产南京基地也已经实质启动。

2017-11-28 标签：存储器紫光集团 2486

NAND闪存超级周期将发生逆转,三星重挫其他闪存供应商

2018年DRAM、NAND型快闪存储器供需预估将持续呈现吃紧。三星电子27日盘中下跌4.2%，创一年多以来最大跌幅。三星竞争对手SKHynix一度下跌3.6%，创10月底以来最大跌幅。韩国股市27日早盘遭逢来自外资与法人的卖压，以三星电子为首的科技股领跌。

2017-11-28 标签：三星电子台积电 nand闪存 984

NOR与NAND的闪存不同之处在哪

闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。

2017-11-28 标签：nor nand闪存 3812

紫光国芯携手长江存储开展DRAM合作

紫光国芯26日在互动平台表示，公司西安子公司从事DRAM存储器晶元的设计，目前产品委托专业代工厂生产。未来紫光集团下属长江存储如果具备DRAM存储器晶元的制造能力，公司会考虑与其合作。

2017-11-27 标签：紫光国芯长江存储 2802

浅谈分析性数据库的读写分离实现原理

数据仓库当中需要同时存在 WOS 和 ROS，这样对于所有的写操作我们都生成 WOS 型文件；同时所有的读操作，则主要依赖于 ROS 文件，但也要查询少量的 WOS 文件

2017-11-26 标签：数据库 mysql 5288

三星、NAND先后延迟投产，对半导体设备市况是个很大的冲击

三星电子、NAND型快闪存储器商今(2018)年纷纷延迟投产，分析师担忧这恐怕会冲击明年的半导体设备市况。

2018-07-20 标签：半导体 NAND 三星电子 1247

三星持续扩产3D NAND，需求上涨但价格可能会继续下降

在持续一年半的涨价之后，闪存价格终于止住步伐。在今年年初和Q1季度，其价格开始逐渐松动并开始下滑，在Q2季度达到了一段时间内比较理想的价格，大品牌的固态价格基本上是1.5元1G。

2018-07-20 标签：闪存 NAND 三星电子 531

新华三获得双料冠军，光纤网络存储与全闪存储Q1国内第一

2018世界杯赛程中，出人意料的结果层出不穷。球迷们认为足球赛场必须实力与运气并存才能笑到最后。但是，在中国的存储市场上，市场领先的核心要素基本与运气无关，一切皆以技术领先水平和实践为衡量实力的基本准绳。

2018-07-20 标签：存储数字化 881

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