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电子发烧友网 > 电源/新能源 > 新品快讯

安森美半导体发布世界首款车规硅光电倍增管(SiPM)阵列产品...

SiPM技术近年来发展势头强劲,由于其独特的功能集,已成为广阔市场深度传感应用的首选传感器。SiPM能在明亮的阳光条件下进行长距离测距时提供最佳的信噪比性能。

2021-03-02 标签:安森美半导体激光雷达SiPM 2231

意法半导体加快三相交流电能表设计 推出功能完整的电能表评估板

EVALSTPM-3PHISO评估板集成高精度STPMS2计量前端IC和先进的STISO621数字隔离器,以及在STM32微控制器上运行的用于计算计量数据和电能质量数据的可定制的统包固件。

2021-03-01 标签:太阳能逆变器三相交流电源电流隔离 1631

电源输入模块新增可侧法兰安装系列

SCHURTER品质卓越的DD11系列电源输入模块用最小的外壳,提供高水平的功能集成。

2021-02-26 标签:电磁兼容滤波器保险丝SCHURTER 2261

Vishay推出性能先进的高可靠性表面贴装陶瓷安规电容器

SMDY1系列电容器适用于表面贴装回流焊工艺,降低生产成本。其高度低于插件器件,PCB背面不需要间隙空间。

2021-02-26 标签:电容器Vishay太阳能逆变器 2489

东芝推出新款碳化硅MOSFET模块,有助于提升工业设备效率和...

东芝面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模块---“MG800FXF2YMS3”,该产品将于2021年5月投入量产。

2021-02-25 标签:MOSFET东芝碳化硅 1327

Microchip 宣布推出基于COTS的宇航级抗辐射电源转...

Microchip作为航天技术合作伙伴已有30年历史,成功参与了50多个项目和平台,我们将继续投资开发航空航天系统所需的关键技术。

2021-02-25 标签:microchip电源转换器COTS 1796

宜普电源转换公司(EPC)eToF™ 激光驱动器IC 助力革...

EPC9154开发板采用EPC21601 eToF™激光驱动器IC,主要用于驱动具有窄且大电流脉冲的激光二极管。

2021-02-24 标签:EPC激光驱动器激光雷达 2243

英飞凌推出全新650V CoolSiC™ Hybrid IG...

由于 IGBT反并联SiC 肖特基势垒二极管,在 dv/dt 和 di/dt 值几乎不变下,CoolSiC™ Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。

2021-02-23 标签:英飞凌IGBT肖特基势垒二极管 2157

Silicon Labs与Wolfspeed合作,提供高性能...

Silicon Labs副总裁兼电源产品总经理Brian Mirkin表示:“电力电子工程师在设计大功率系统时面临从空间限制到安全要求的诸多挑战。

2021-02-23 标签:功率转换器Silicon Labs栅极驱动器 1336

Nexperia扩展LFPAK56D MOSFET产品系列,...

节省空间的LFPAK56D半桥产品可以帮助动力系统、电机控制和DC/DC应用减少60%的寄生电感并改善散热性能

2021-02-23 标签:MOSFET晶圆DC-DC转换器电机驱动器寄生电感 1734

Vishay推出新款高阻值比、高工作电压ACAS AT精密薄...

Vishay ACAS 0606 AT和ACAS 0612 AT精密汽车级薄膜片式排阻经过进一步强化,阻值比提高至1:100,工作电压达100 V。

2021-02-22 标签:放大器模拟电路Vishay运算放大器 1396

e络盟供货KOA系列高品质无源元件

耐脉冲抗浪涌电阻 – SG73系列是保护电子电路免受极端脉冲和浪涌的理想解决方案,特别是在I/O保护、缓冲和栅极驱动电路中。

2021-02-22 标签:e络盟无源元件KOA 1446

安森美半导体发布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET

新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,可在650 V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp (Rdson * area)。

2021-02-19 标签:MOSFET电磁干扰安森美半导体碳化硅车载充电器 1681

Vishay新款高温NTC热敏电阻适合应用于汽车快速、高精度...

器件符合AEC-Q200标准,耐高温达+185 °C,热梯度小于0.01 K/K,空气中响应时间为6秒。

2021-02-19 标签:Vishayntc热敏电阻 1780

Vishay的新款高速PIN光电二极管提高生物传感器性能,适...

VEMD8081在相同封装尺寸条件下,反向光电流比其前身VEMD8080大15 %,为设计人员提供直接替代器件,增加信号输出提高性能,或减小LED电流延长电池寿命。

2021-02-19 标签:Vishay生物传感器光电二极管可穿戴设备运动追踪器 1551

Vishay推出新款宽边薄膜片式电阻,其性能和可靠性更适合用...

结合先前发布的NCW 0406 AT,日前发布的AEC-Q200标准器件宽边几何形状具有优异的温度循环稳健性。

2021-02-19 标签:Vishay薄膜片式电阻 1642

纳微半导体新一代氮化镓功率芯片NV6128问世,全新额定电压...

在传统硅充电器一半的体积和重量情况下,氮化镓充电器的输出功率和充电速度与前者相比均可提升三倍。

2021-02-19 标签:氮化镓硅芯片纳微半导体 4906

东芝推出适用于工业设备的100V大电流光继电器

TLP241B集成了基于东芝最新一代U-MOS工艺的MOSFET。使用TLP241B,断态输出端电压提高到100V,较当前TLP241A的40V提高了150%。

2021-02-05 标签:继电器MOSFET东芝东芝电子可编程逻辑控制器 2620

Maxim Integrated发布业界首款符合ASIL-D...

MAX17852电池监测器IC集成电流检测放大器,空间节省16%、成本降低20%。

2021-02-04 标签:电动汽车Maxim数据通信数据采集系统电源管理系统 1393

X-FAB推出最新一代雪崩光电二极管和单光子雪崩二极管器件

性能提升最明显的领域之一是光子探测概率(PDP)。405nm波长入射光PDP数值为42%,而在近红外(NIR)频率上的改进幅度更进一步,高达150%;850nm波长PDP数值为5%。

2021-02-04 标签:雪崩二极管光电二极管X-FAB 2234

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