电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。
2017-04-17 18:25:37
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IGBT 功率模块工作过程中存在开关损耗和导通损耗，这些损耗以热的形式耗散，使得在 IGBT 功率模块封装结构产生温度梯度。并且结构层不同材料的热膨胀系数( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差较大
2022-09-07 10:06:184436 E-tron的逆变器的电压覆盖范围为150V-460V，10 秒持续的最大电流为 530A，持续电流最大为 260A，功率密度为30kVA/L，和特斯拉的不同，采用了三个IGBT功率模块。
2023-07-07 09:40:00750 
电机控制器的功率模块，即IGBT器件和续流二极管，在开关和导通电流会产生损耗，损失的能量会转化成热能，表现为功率模块发热。
2023-07-12 15:53:142510 
IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。
2024-03-08 10:11:40506 
CISSOID在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会（PCIM 2019）上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模块。
2019-05-13 11:33:45895 。 安森美中国区应用工程总监吴志民 安森美在汽车和工业领域已经有很深的积累。在工业领域，安森美的MV和HV MOSFET、碳化硅及IGBT功率模块，可用于提高工业系统的能效，其图像传感器可应用于机器视觉、机器人和自动化，SiC和IGBT电源模
2021-12-31 17:31:202890 为主的高新技术企业，主要有高压产品线超级结MOSFET、IGBT及功率模块、SiC功率器件，以及中低压产品线SGT MOSFET，产品广泛覆盖车规级、工业级和消费级等应用领域。 在超级结MOSFET细分领域，2022年其超级结MOSFET产品销售收入突破5亿元，根据芯谋
2023-06-07 00:10:002138 
IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。
2020-03-24 09:01:13
、结构也会给IGBT选型提出要求，再就是考虑性价比和供货。对于一个具体的应用来说，在选择IGBT功率模块时，需要考虑其在任何静态、动态、过载（如短路）的运行情况下： 器件耐压；在实际的冷却条件下，电流
2022-05-10 10:06:52
调节输出电能的形式，从而驱动电机，进而驱动车辆。这就是IGBT作为核心部件的工作原理。IGBT 功率模块是逆变器的核心功率器件。逆变器用于驱动电机，为汽车运行提供动力。当电驱动系统工作时，逆变器从电池组
2022-05-10 09:54:36
实用性。全书共7章，分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域
2011-11-25 15:46:48
常见，所以部分设计者可能会存在没有合适的 Mosfet 模块使用，而考虑使用功率 IGBT模块。本文简单的探讨两种模块驱动设计时必须注意的问题供设计者参考。**常见应用条件划分： **选用 IGBT 或
2022-09-16 10:21:27
什么是IGBT模块？IGBT是一种功率半导体芯片，是绝缘栅双极晶体管的简称。IGBT功率模块是在一个封装中组装和物理封装多个IGBT功率半导体芯片。。..IGBT功率模块用作电子开关器件。IGBT在
2023-02-02 17:05:34
营销经理Thorsten Schmidt表示：“SCALE-iFlex Single门极驱动器的外形经过专门设计，可与最新的标准IGBT功率模块完美适配，这些IGBT功率模块包括Mitsubishi
2021-09-09 11:00:41
通时产生的Vd振铃、和低边SiC-MOSFET的寄生栅极寄生电容引起的。全SiC功率模块的开关速度与寄生电容下面通过与现有IGBT功率模块进行比较来了解与栅极电压的振铃和升高有关的全SiC功率模块的开关
2018-11-30 11:31:17
的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域中的应用。本书题材新颖实用，内容丰富，文字通俗
2015-05-29 10:47:00
6DDMM420MM430MM440全系列产品，新旧不限)欧姆龙(CPM1ACPM2A CPM2AHCJ1WCS1W CP1ECP1LCP1H CP1GCPM2AE等全系列产品)IGBT功率模块（英飞凌富士三菱西门子安川西门康红邦优派克东芝）微信***
2019-07-30 19:39:45
目前国内绝大多数IGBT功率模块/MOSFET功率模块厂家灌封采用传统的硅胶灌封方式。随着国内客户在新能源车用和电网电力风电方面（1200V以上领域）对IGBT模块使用的要求越来越高；采用硅胶灌
2022-02-20 15:29:36
infineon IPM模块 英飞凌 PIM模块 英飞凌 晶闸管 EUPEC 可控硅进口IGBT模块 德国西门子欧派克IGBT模块 功率集成模块 整流二极管 快恢复二极管 EUPEC IGBT功率模块
2021-12-02 17:55:00
`2015年，比亚迪新能源汽车“秦”全年累计销量遥遥领先，绝对的NO 1。而秦的核心器件之一便是由比亚迪微电子自主研发的IGBT功率模块。比亚迪微电子集中了IGBT芯片设计、封装、测试、系统应用方面
2016-05-25 18:45:35
SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点，根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
向性，电感侧一定接变频器，限流电阻Rx3和电容Cx3侧接电动机，不能接反，否则，会对变频器的IGBT功率模块有电流冲击。
2021-09-08 06:08:59
）作为全电动注塑机顶出伺服系统的执行机构，以 dsPIC30F4011 为核心处理器驱动电路和控制电路，包括IGBT 功率模块、键盘显示和通讯接口等部分。在系统的软件设计中，将所有的事件分成中速、低速
2014-11-12 11:25:00
4. 状况监测在功率循环测试期间，实验所涉及的功率模块的主要故障机制是上臂IGBT的引线键合点①至⑥的剥离（图3）。为了再现模块的劣化，依次将④③⑤⑥②①[12]对这6个引线键合点切开。在每次切开后
2019-03-20 05:21:33
专业回收,触控屏,变频器,AB模块。新旧不限,大量上门回收IGBT模块,或个人滞留,或工程剩余模块要处理的主营产品:常年回收igbt功率模块,电源模块,可控硅模块,ipm功率模块,gtr达林顿模块
2021-03-04 13:57:12
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
模块需求，英飞凌通过增强IGBT的功率循环和温度循环特性，并增加IGBT 结构强度，大大提高了IGBT的寿命预期。2.混合动力车辆中功率半导体模块的要求1）工作环境恶劣（高温、振动）IGBT位于逆变器
2018-12-06 09:48:38
(CPM1ACPM2ACPM2AHCJ1WCS1WCP1ECP1LCP1HCP1GCPM2AE等全系列产品)IGBT功率模块（英飞凌富士三菱西门子安川西门康红邦优派克东芝）FESTO 气缸，电磁阀，磁性开关，接近开关，传感器，调压阀，限流阀，真空发生器
2020-03-14 22:06:34
电压电流，从而提高蓄电池使用寿命，其体积和质量对控制器的功率密度有很大影响。因此，IGBT功率模块和直流侧支撑电容是提高控制器性能和控制成本的关键。1.1 智能IGBT功率模块的研发为提高IGBT功率
2020-06-24 07:00:00
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
、JOHANSON、三和等品牌。电话151-5220-9946江工 QQ2360670759 长期回收三极管、二极管、MOS管、IGBT管、晶体管、肖特基、可控硅、高频管、模块、IGBT模块
2021-03-02 15:11:54
本文对IGBT的功率和热循环、材料选型以及电气特性等问题和故障模式进行了探讨。
2021-05-14 06:52:53
最近参加深圳世强和威科（Vincotech）联合举办的研讨会，有讲到威科的IGBT功率模块，特别是他们家的flowPHASE 0功率模块印象深刻，有用过的吗？ 据世强的Speaker说——在中大功率
2014-08-26 12:22:31
开关造成的直流侧脉动电流，稳定直流侧输出电压电流，从而提高蓄电池使用寿命，其体积和质量对控制器的功率密度有很大影响。因此，IGBT功率模块和直流侧支撑电容是提高控制器性能和控制成本的关键。1.1 智能
2018-10-19 09:54:49
FF1400R17IP4P1700 V, 1400 A 半桥双IGBT模块， 采用第四代 TRENCHSTOP™ IGBT、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC、软开关芯片以及 预涂热界面材料
2022-04-18 09:28:58
英飞凌推出了完整的三相逆变器系统解决方案(基于HybridPACK 2 IGBT模块的HybridKIT)，可减少设计人员在(H)EV逆变器结构设计阶段的工作量，并帮助他们对英飞凌的HybridPACK2 IGBT功率模块
2010-06-30 16:52:391218 
为了实现三电平电路，只能通过采用分立式器件或至少将三个模块结合在一起。现在，采用针对较高击穿电压的芯片技术，通过将三电平桥臂集成到单独模块中，再配上驱动电路，就能够使得这种拓扑在新的应用中更具吸引力。
2011-01-15 14:23:117537 
诸如高环境温度、暴露于机械冲击以及特定的驱动循环等环境条件，要求对IGBT功率模块的机械和电气特性给予特别的关注，以便在整个使用寿命期间能确保其性能得到充分发挥，并保持
2012-10-09 14:06:404116 
本设计以永磁无刷直流电动机（BLDCM）作为全电动注塑机顶出伺
服系统的执行机构，以 dsPIC30F4011 为核心处理器驱动电路和控制电路，包括
IGBT 功率模块、键盘显示和通讯接口等部分
2016-01-15 16:25:28
0 半桥和单开关管IGBT功率模块---VS-GP100TS60SFPBF、VS-GP250SA60S、VS-GP300TD60S和VS-GP400TD60S。
2016-01-19 18:19:59804 电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频器、风能太阳能逆变器的驱动电路有更为苛刻的技术要求，其中的电源电路受到空间尺寸小、工作温度高等限制，面临诸多挑战。
2016-11-14 15:16:461148 
电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。
2017-04-22 09:27:171354 
IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品
2017-05-14 14:31:1711985 
并网逆变器一般分为光伏发电并网逆变器、风力发电并网逆变器、动力设备发电并网逆变器和其他发电设备发电并网逆变器。并网逆变器的最大特点是系统的功率高，成本低。一般功率大的使用三相的IGBT功率模块，功率较小的使用场效应晶体管，同时使用DSP转换控制器来改善所产出电能的质量。
2018-03-01 16:26:5743129 IGBT功率模块是逆变器的核心功率器件。逆变器用于驱动电机，为汽车运行提供动力。当电驱动系统工作时，逆变器从电池组获取直流电，并转换成交流电来驱动电机。逆变器的集成化程度、控制成熟度和可靠性都与IGBT的性能密切相关。
2018-05-16 09:28:5316342 罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2018-05-17 09:33:1313514 Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及
2018-09-05 08:44:004843 高压永磁断路器，变频器、IGBT模块、IGBT功率模块专用高频贴片电容1812/2KV/NP0/222J矿业产品专用贴片电容1812 100V 6.8UF/685K X7R以上为X7R材质，容量精度为10%,耐温-55-+125度原厂直销，品质保证。更多规格欢迎查询和免费索样~
2018-10-29 09:43:20430 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID，在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会（PCIM 2019）上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模块
2019-05-16 09:10:563764 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
2019-06-21 08:00:005 英飞凌日前利用采用先进中性点钳位（advanced neutral-point-clamped ANPC）拓扑结构，将混合碳化硅（SiC）和IGBT功率模块EasyPACK 2B提升到1200V
2019-09-14 10:56:003727 随着新一代 IGBT 芯片结温及功率密度的提高，对功率电子模块及其封装技术的要求也越来越高。文
章主要介绍了功率电子模块先进封装互连技术的最新发展趋势，重点比较了芯片表面互连、贴片焊接互连、导电
2022-05-06 15:15:556 IGBT 功率模块基本的封装工艺介绍，给初入半导体芯片制造封装的工程师作为参考资料。
2022-06-17 14:28:4251 诸如高环境温度、暴露于机械冲击以及特定的驱动循环等环境条件，要求对IGBT功率模块的机械和电气特性给予特别的关注，以便在整个使用寿命期间能确保其性能得到充分发挥，并保持很高的可靠性。本文对IGBT
2022-08-06 14:54:531999 诸如高环境温度、暴露于机械冲击以及特定的驱动循环等环境条件，要求对IGBT功率模块的机械和电气特性给予特别的关注，以便在整个使用寿命期间能确保其性能得到充分发挥，并保持很高的可靠性。本文对IGBT的功率和热循环进行了探讨。
2022-12-02 11:46:35968 前文试验机老二给大家分享了自动多功能推拉力机相关试样和物理力学性能测试，由此可看出自动多功能推拉力机广泛用于与LED封装测试、IC半导体封装测试、TO封装测试、IGBT功率模块封装测试、光电子元器件
2022-12-07 14:12:321006 
IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管（IGBT）构成的功率模块。由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离，具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机、变频器、变频家电等领域。
2023-01-13 10:14:581363 智能功率模块（IPM）是一种功率半导体模块，可将操作IGBT所需的所有电路集成到一个封装中。它包括所需的驱动电路和保护功能，以及IGBT。这样，可以通过可用的IGBT技术获得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142430 
结温是IGBT功率模块中功率器件的重要状态变量，能直接反映器件安全裕量、健康状态及运行性能等。
2023-02-07 16:59:431573 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-13 09:30:04331 
英飞凌IGBT 英飞凌IGBT模块电气性能绝佳且可靠性最高，在设计灵活性上也丝毫不妥协 我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列，它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级，适用于
2023-02-16 16:30:581136 为了充分发掘系统层面的设计优势，以往主要集中在大功率应用的三电平中点钳位(NPC)拓扑电路近来也开始出现在中、小功率应用中。低电压器件改进后的频谱性能和更低的开关损耗，使得UPS系统或太阳能逆变器
2023-02-22 14:09:411 IGBT最常见的形式其实是模块（Module），而不是单管。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。
2023-02-22 15:08:141760 
IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。
2023-02-22 15:34:002490 
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等，是电子装置中电能转换与电路控制的核心。功率半导体器件种类众多，按集成度可分为功率IC、功率模块和功率分立器件三大类
2023-02-22 15:41:02560 三电平IGBT功率模块 电子知识 为了充分发掘系统层面的设计优势，以往主要集中在大功率应用的三电平中点钳位(NPC)拓扑电路近来也开始出现在中、小功率应用中。低电压器件改进后的频谱性能和更低
2023-02-24 10:42:123 功率器件的封装正朝着小体积和3D封装发展，在工作损耗不变的情况下，使得器件的发热功率密度变得更大，在热导率和热阻相同的情况下，会使得封装体和裸芯的温度更高，高温会带来许多问题。
2023-03-20 17:49:46964 功率半导体模块主要应用于电能转换和电能 控制，是电能转换与电能控制的关键器件，被誉为 电能处理的“CPU”，是节能减排的基础器件和核心技术之一
2023-03-24 17:29:233748 
陶瓷覆基板是影响模块长期使用的关键部分之一，IGBT模块封装中所产生的热量主要是经陶瓷覆铜板传到散热板最终传导出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆铜板性能的决定因素。
2023-04-17 09:54:48704 赛米控丹佛斯与罗姆在IGBT多源供应方面进一步加强合作 赛米控丹佛斯（总部位于德国纽伦堡）和全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）在开发SiC（碳化硅）功率模块方面，已有十多年的良好合作关系
2023-04-26 09:17:51608 
赛米控丹佛斯（总部位于德国纽伦堡）和全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市） 在开发SiC（碳化硅） 功率模块方面，已有十多年的良好合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块
2023-04-26 15:27:11517 
随着全球电气化技术的快速发展，对功率模块的需求已经达到了前所未有的程度，相关产品的市场规模急剧扩大，几乎超出了芯片制造商的产能提升速度。
2023-05-10 10:48:02280 ～赛米控丹佛斯与罗姆在IGBT多源供应方面进一步加强合作～ 赛米控丹佛斯（总部位于德国纽伦堡）和全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）在开发SiC（碳化硅）功率模块方面，已有十多年的良好
2023-05-17 13:35:02938 
功率器件业务为主的高新技术企业，主要有高压产品线超级结MOSFET、IGBT及功率模块、SiC功率器件，以及中低压产品线SGT MOSFET，产品广泛覆盖车规级、工业级和消费级等应用领域。 在超级结MOSFET细分领域，2022年其超级结MOSFET产品销售收入突破5亿元，根据芯
2023-06-08 07:45:021434 
IGBT是现代电力电子器件中的主导型器件，被誉为电力电子行业的 “CPU”。IGBT代表绝缘栅双极型晶体管，是国际公认的电力电子技术的第三次革命最具代表性的产品。
2023-06-16 14:37:521025 IGBT 功率模块基本的封装工艺详细讲解，可以作为工艺工程师的一个参考和指导。
丝网印刷目的：
将锡膏按设定图形印刷于DBC铜板表面，为自动贴片做好前期准备
设备：
BS1300半自动对位SMT锡浆丝印机
2023-06-19 17:06:410 ，下面我们就这三类逆变器进行对比分析。集中式逆变器集中逆变技术是若干个并行的光伏组串被连到同一台集中逆变器的直流输入端，一般功率大的使用三相的IGBT功率模块，功率较小的使用场效应晶体管，同时使用DSP转
2021-05-12 16:37:014878 
各位“贞”朋友好，今日推荐贞光科技代理品牌，优秀原厂—美微科(MCC)，贞光科技主要代理美微科(MCC)的二极管、MOSFETs、晶体管、电压调节器、静电保护和功率TVS、碳化硅肖特基、IGBT、功率模块等产品。
2022-08-02 11:41:07877 
随着高速铁路、城市轨道交通、新能源汽车、智能电网和风能发电等行业发展，对于高压大功率IGBT模块的需求迫切且数量巨大。由于高压大功率IGBT模块技术门槛较高，难度较大，特别是要求封装材料散热性能更好
2023-04-21 10:18:28728 
封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。文：英飞凌科技高级应用工程师JorgeCerezo逆变焊机通常是通过IGBT功率模块解决方案设计来实
2023-06-13 09:39:58534 
散热基板是IGBT功率模块的核心散热功能结构与通道，也是模块中价值占比较高的重要部件，车规级功率半导体模块散热基板必须具备良好的热传导性能、与芯片和覆铜陶瓷基板等部件相匹配的热膨胀系数、足够的硬度和耐用性等特点。
2023-07-06 16:19:33793 
间接液冷散热采用的是平底散热基板，基板下面涂一层导热硅脂，紧贴在液冷板上，液冷板内通冷却液，散热路径为：芯片-DBC基板-平底散热基板-导热硅脂-液冷板-冷却液。
2023-07-12 16:25:052072 
在可使用的结温范围内栅极-发射极短路状态下，允许的断态集电极-发射极最高电压。
2023-07-21 08:55:593056 
间接液冷散热采用的是平底散热基板，基板下面涂一层导热硅脂，紧贴在液冷板上，液冷板内通冷却液，散热路径为芯片-DBC基板-平底散热基板-导热硅脂-液冷板-冷却液。即芯片为发热源，热量主要通过DBC基板、平底散热基板、导热硅脂传导至液冷板，液冷板再通过液冷对流的方式将热量排出。
2023-07-21 09:34:32562 
随着绝缘栅双极晶体管（IGBT ）向高功率和高集成度方向发展，在结构和性能上有很大的改进，热产生问题日益突出，对散热的要求越来越高，IGBT 芯片是产生热量的核心功能器件，但热量的积累会严重影响器件的工作性能。
2023-07-27 10:43:261121 
IGBT功率模块失效的主要原因是温度过高导致的热应力，良好的热管理对于IGBT功率模块稳定性和可靠性极为重要。新能源汽车电机控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度随着对新能源汽车性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23907 
随着全球新能源的发展，功率半导体行业正在快速发展。IGBT功率模块在封装焊接时有着低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生产等需求
2023-09-01 15:06:571677 
IGBT 功率模块的开关特性是由它的内部结构，内部的寄生电容和内部和外接的电阻决定的。
2023-09-22 09:06:14432 
IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管，特点是可以使用电压控制、耐压高、饱和压降小、切换速度快、节能等。功率模块是电动汽车逆变器的核心部件，其封装技术对系统性能和可靠性有着至关重要的影响。传统的单面冷却
2023-09-26 08:11:51586 目前，芯动半导体无锡工厂已完成建设，自今年2月奠基以来，历时8个月，工厂主体封顶，首条模块产线于10月28日顺利通线。工厂拥有国内一流测试环境，能够满足IGBT功率模块的严苛质量管理要求，快速响应车型需求，定向开发产品。
2023-11-17 17:14:03560 日前，Vishay 推出五款采用改良设计的 INT-A-PAK 封装新型半桥 IGBT 功率模块。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 组成
2024-03-08 09:15:18180 
Vishay近期发布五款新型半桥IGBT功率模块，其改良设计的INT-A-PAK封装备受瞩目。这五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均运用Vishay领先
2024-03-08 11:45:51266 近日，全球知名的半导体及组件制造商Vishay宣布推出五款新型半桥IGBT功率模块，这些模块采用了经过改良设计的INT-A-PAK封装。新款产品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 IGBT 功率模块的主要作用是交流电和直流电的转换, 同时 IGBT 还承担电压的高低转换的功能. 比如, 充电桩充电的时候是交流电, 需要通过 IGB
2023-12-01 15:48:31
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