0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

Wolfspeed碳化硅8寸工厂迎新进展

WOLFSPEED 来源:WOLFSPEED 2024-09-26 16:47 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

Wolfspeed 宣布碳化硅 8 寸工厂关键性进展!

MVF 莫霍克谷 200mm 碳化硅工厂实现 20% 利用率,并且获得 LEED 绿色建筑认证

“John Palmour 碳化硅材料制造中心”首批炉子成功点火

全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. (美国纽约证券交易所上市代码: WOLF) 于近日宣布了碳化硅芯片制造工厂和材料制造工厂近期关键性进展。

Wolfspeed 的 MVF 莫霍克谷碳化硅芯片工厂已经实现了 20% 晶圆启动利用率(wafer start utilization),这是公司为了满足市场对碳化硅功率器件日益增长的需求所做的重要工作的关键一步。此外,Wolfspeed 的 10 号楼(Building 10)碳化硅材料工厂已经达成其 200mm 碳化硅衬底产能目标,将可以支持 MVF 莫霍克谷工厂在 2024 自然年底实现约 25% 晶圆启动利用率。Wolfspeed 计划在 8 月份公布 2024 财年第四季度业绩期间,向市场更新莫霍克谷工厂的下一个利用率里程碑。

MVF 莫霍克谷工厂同时达成了 LEED(Leadership in Energy and Environmental Design,能源与环境设计先锋建筑评级体系)银级认证。LEED 认证标准是全球范围内最受认可和使用的绿色建筑认证标准和评级体系之一。达成 LEED 银级认证彰显了 Wolfspeed 的可持续发展承诺,不仅要满足合规,更要提升环境健康和行业领先的可持续性发展。

采用领先前沿技术的 MVF 莫霍克谷工厂是全球首座专门为 200mm 碳化硅晶圆制造所建设的全自动化工厂。结合 Wolfspeed 市场领先的 200mm 衬底材料制造,巩固了 Wolfspeed 作为目前业界碳化硅垂直整合企业唯一达成大规模 200mm 碳化硅制造的竞争地位。

与此同时,Wolfspeed 位于美国北卡罗来纳州赛勒城的“John Palmour 制造中心”(简称“the JP”)在竣工之后将成为全球最大、最先进的碳化硅材料工厂。“John Palmour 制造中心”在其建设动工不到一年的时间内,已经完成安装了首批碳化硅材料生产制造设备并已于近期点火启用。这些设备将如期在今年 8 月份完成长晶验证。这些近期的重要进展,让公司对 JP 材料厂在明年夏天开始对 MVF 晶圆厂输送衬底充满了信心。

Wolfspeed 总裁兼首席执行官 Gregg Lowe 表示:“MVF 莫霍克谷工厂已经达成 20% 利用率目标,我们已经做好准备进一步执行我们的 200mm 碳化硅产品的垂直整合战略,这将领先于其他市场参与者。与此同时,John Palmour 制造中心近期的顺利推进,使得 Wolfspeed 在稳定发展的轨道上保持继续前进,从而达成我们的工厂目标并显著提升我们的材料产能,朝着我们的战略不断推进标志性进展。”

关于 Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed(美国纽约证券交易所上市代码: WOLF)引领碳化硅(SiC)技术在全球市场的采用。我们为高效能源节约和可持续未来提供业界领先的解决方案。Wolfspeed 产品家族包括了 SiC 材料、功率器件,针对电动汽车、快速充电、可再生能源和储能等多种应用。我们通过勤勉工作、合作以及对于创新的热情,开启更多可能。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    462

    文章

    53582

    浏览量

    459559
  • 晶圆
    +关注

    关注

    53

    文章

    5349

    浏览量

    131719
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3334

    浏览量

    51744
  • Wolfspeed
    +关注

    关注

    0

    文章

    89

    浏览量

    8443

原文标题:Wolfspeed 宣布碳化硅 8 寸工厂关键性进展!

文章出处:【微信号:WOLFSPEED,微信公众号:WOLFSPEED】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    Wolfspeed碳化硅器件推动丰田公司纯电动汽车发展

    展现 Wolfspeed碳化硅功率解决方案领域的领先地位,凭借提升的效率和性能,助力丰田全球电气化战略,推动纯电动汽车发展。
    的头像 发表于 12-13 11:09 70次阅读

    Wolfspeed发布C4MS系列分立式碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 宣布推出最新的工业级 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET,基于业界领先的第四代 (Gen 4) 技术平台开发,为硬开关应用提供了优异的性能。
    的头像 发表于 11-30 16:13 503次阅读

    AR光波导+先进封装双驱动,12英碳化硅静待爆发

    替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介层,并最晚在2027年广泛应用。   碳化硅过去的主力市场是功率器件,但功率器件市场需求增速存在瓶颈,从6英8的进程花费时间较长,除了
    的头像 发表于 09-26 09:13 6301次阅读

    Wolfspeed碳化硅技术实现大规模商用

    碳化硅 (SiC) 技术并非凭空而来,它是建立在数十年的创新基础之上。近四十年来,Wolfspeed 始终致力于碳化硅 (SiC) 技术和产品的创新并不断强化基础专利。仅在过去的五年中,我们
    的头像 发表于 09-22 09:31 547次阅读

    Wolfspeed 200mm碳化硅材料产品组合开启大规模商用

    全球碳化硅 (SiC) 技术引领者 Wolfspeed 公司(美国纽约证券交易所上市代码:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料产品开启大规模商用。这一重要里程碑标
    的头像 发表于 09-11 09:12 1312次阅读

    数据中心电源客户已实现量产!三安光电碳化硅新进展

    电子发烧友网综合报道  三安半导体在近期发布的中报里公开了不少关于碳化硅业务的新进展,包括器件产品、客户导入、产能等信息。   在产能方面,湖南三安在职员工1560人,已经拥有6英碳化硅
    发表于 09-09 07:31 1428次阅读

    Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 车规级碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,专为严苛的汽车环境设计。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MO
    的头像 发表于 08-11 16:54 2224次阅读

    国产SiC碳化硅功率半导体全面取代Wolfspeed进口器件的路径

    Wolfspeed宣布破产的背景下,国产碳化硅(SiC)功率器件厂商如BASiC(基本股份)迎来了替代其市场份额的重大机遇。
    的头像 发表于 06-19 16:43 699次阅读

    全球产业重构:从Wolfspeed破产到中国SiC碳化硅功率半导体崛起

    Wolfspeed破产到中国碳化硅崛起:国产SiC碳化硅功率半导体的范式突破与全球产业重构 一、Wolfspeed的陨落:技术霸权崩塌的深层逻辑 作为
    的头像 发表于 05-21 09:49 1003次阅读
    全球产业重构:从<b class='flag-5'>Wolfspeed</b>破产到中国SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半导体崛起

    12英碳化硅衬底,又有新进展

    尺寸是6英,并正在大规模往8发展,在最上游的晶体、衬底,业界已经具备大量产能,8碳化硅
    的头像 发表于 04-16 00:24 2719次阅读

    东升西降:从Wolfspeed危机看全球SiC碳化硅功率半导体产业链重构

    Wolfspeed作为全球碳化硅(SiC)功率半导体领域的先驱企业,其股价暴跌(单日跌幅超50%)、财务困境与德国30亿欧元项目搁浅危机,折射出欧美与中国在SiC碳化硅功率半导体产业链竞争中
    的头像 发表于 03-31 18:03 882次阅读

    CREE(Wolfspeed)的垄断与衰落及国产碳化硅衬底崛起的发展启示

    )的垄断与衰落 技术垄断期:Wolfspeed(原CREE)曾长期主导全球碳化硅衬底市场,其物理气相传输法(PVT)生长技术及6英衬底工艺占据绝对优势。2018年特斯拉采用碳化硅后,
    的头像 发表于 03-05 07:27 1222次阅读
    CREE(<b class='flag-5'>Wolfspeed</b>)的垄断与衰落及国产<b class='flag-5'>碳化硅</b>衬底崛起的发展启示

    Wolfspeed第4代碳化硅技术解析

    本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承,Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方
    的头像 发表于 02-19 11:35 1615次阅读
    <b class='flag-5'>Wolfspeed</b>第4代<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术解析

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
    发表于 01-04 12:37

    8单片高温碳化硅外延生长室结构

    随着碳化硅(SiC)材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用,高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸,其外延生长室的结构设计
    的头像 发表于 12-31 15:04 398次阅读
    <b class='flag-5'>8</b>英<b class='flag-5'>寸</b>单片高温<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延生长室结构