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电子发烧友网>LEDs>挪威科学技术院院士在IFWS 2019上介绍石墨烯衬底AlGaN纳米线外延生长技术

挪威科学技术院院士在IFWS 2019上介绍石墨烯衬底AlGaN纳米线外延生长技术

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2023-02-22 11:28:293586

SiC外延工艺基本介绍

外延层是晶圆的基础,经过外延工艺生长出特定单晶薄膜,衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中导电型碳化硅衬底生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片,可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件,其中应用最多的是4H-SiC 型衬底
2023-05-31 09:27:098486

GaN外延生长方法及生长模式

衬底实现高质量的外延生长GaN基材料。GaN材料的生长高温下,通过TMGa分解出的Ga与NH3的化学反应实现的,生长GaN需要一定的生长温度,且需要一定的NH3分压。
2023-06-10 09:43:442359

浅谈GaN 异质衬底外延生长方法

HVPE(氢化物气相外延法)与上述两种方法的区别还是在于镓源,此方法通常以镓的氯化物GaCl3为镓源,NH3为氮源,衬底以1000 ℃左右的温度生长出GaN晶体。
2023-06-11 11:11:321206

石墨电池技术详细介绍

的原理、应用、优点和未来发展趋势。 1. 石墨电池技术的原理 石墨电池技术是利用石墨材料的优良特性,包括高电导性、高表面积、高可充放电速率等,来实现高能量密度和高功率密度的电池技术。其原理是石墨电极形成
2023-08-22 17:06:077604

石墨传感器的应用

石墨”又名“单层石墨片”,是指一层密集的、包裹在蜂巢晶体点阵的碳原子,碳原子排列成二维结构,与石墨的单原子层类似。Geim 等利用纳米尺寸的金制“鹰架”,制造出悬挂于其的单层石墨薄膜,发现
2023-08-28 14:58:073920

石墨基导热薄膜的研究进展情况分析

CVD因具有可控、高质量生长石墨的优点而引起国内外关注,据报道石墨薄膜可在多个衬底生长,如Fe、Cu和Ni、 Pt等。研究表明,采用CVD工艺生长单层石墨,可实现晶粒可调、降低石墨固有强度、降低碳原料分解的能量屏障,一定条件下,CVD工艺能带来可扩展、经济、可重复且易于使用的优点。
2023-09-01 11:12:531884

韩国开发了一种石墨生长柔性GaN LED阵列的方法

12月11日,外媒消息,韩国首尔国立大学与成均馆大学的研究团队联合开发了一种石墨生长柔性GaN LED阵列的方法,通过该技术研究团队生长出了LED微型阵列
2023-12-13 16:06:031313

韩国研究团队开发了一种石墨生长柔性GaN LED阵列的方法

外媒消息,韩国首尔国立大学与成均馆大学的研究团队联合开发了一种石墨生长柔性GaN LED阵列的方法,通过该技术研究团队生长出了LED微型阵列,并称作微盘阵列(Microdisks arrays)。
2023-12-18 10:07:151686

天津大学纳米中心石墨研究取得新进展

特异的二维材料石墨,由于其狄拉克锥能带结构呈现为零带隙特性,至今仍是诸多科学家们面对的挑战。然而,马雷教授领军的科研团队,在对外延石墨生长过程进行精密调整后,成功构筑了新型稳定半导体石墨
2024-01-08 10:40:311525

”芯“成果——碳化硅生长的超高迁移率半导体外延石墨

石墨电子学发展的关键技术难关攻克
2024-01-09 09:45:491239

半导体资料丨溅射外延、Micro-LED集成技术、化学蚀刻法制备MSHPS

Si AIN 和 GaN 的溅射外延(111) 溅射外延是一种低成本工艺,适用于沉积III族氮化物半导体,并允许比金属-有机气相外延(MOVPE)更低的生长温度下在大衬底区域沉积。介绍了用反应
2024-01-12 17:27:131093

首个6英寸蓝宝石衬底的1700V GaN HEMTs器件发布

近日,广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关,通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片,基于广州第三代半导体创新中心中试平台,成功6英寸蓝宝石衬底实现了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:242253

揭秘全球首创石墨半导体的诞生过程

当德赫尔和他的团队弄清楚如何使用特殊熔炉碳化硅晶圆生长石墨时,他取得了突破。他们生产了外延石墨,这是碳化硅晶面上生长的单层。
2024-02-21 15:26:501045

异质外延衬底的要求是什么?

异质外延是一种先进的晶体生长技术,它指的是一个特定的衬底材料生长出与衬底材料具有不同晶体结构或化学组成的薄膜或外延层的过程,即:一种材料的基片生长出另一种材料。
2024-04-17 09:39:421714

什么是石墨和白石墨

、导电性、导热性以及机械强度。单层石墨的厚度仅为0.335纳米,是头发直径的二十万分之一,且几乎完全透明,只吸收约2.3%的光。这些特性使得石墨多个领域具有广泛
2024-09-30 08:02:161697

SiC外延生长技术的生产过程及注意事项

SiC外延生长技术是SiC功率器件制备的核心技术之一,外延质量直接影响SiC器件的性能。目前应用较多的SiC外延生长方法是化学气相沉积(CVD),本文简要介绍其生产过程及注意事项。
2024-11-14 14:46:302351

SiGe外延工艺及其在外延生长、应变硅应用及GAA结构中的作用

本文介绍SiGe外延工艺及其在外延生长、应变硅应用以及GAA结构中的作用。   现代半导体技术中,随着器件尺寸的不断缩小,传统的硅基材料逐渐难以满足高性能和低功耗的需求。SiGe(硅锗)作为一种
2024-12-20 14:17:496653

用于半导体外延生长的CVD石墨托盘结构

衬底的关键组件,其结构和性能对外延片的质量具有决定性影响。本文将详细介绍一种用于半导体外延生长的CVD石墨托盘结构,探讨其设计特点、工作原理及半导体制造中的应
2025-01-08 15:49:10364

应力消除外延生长装置及外延生长方法

引言 半导体材料领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高热导率、高击穿电场强度等,成为制造高功率、高频电子器件的理想材料。然而,大尺寸SiC外延生长过程中,衬底应力问题一直是
2025-02-08 09:45:00268

刘忠范院士团队研发新方法,成功制备大尺寸石墨

石墨非金属基板生长面临着一系列的挑战,特别是高密度的成核和低质量的薄膜问题。   鉴于此,北京大学刘忠范院士团队提出了一种创新的“预熔基板促进选择性刻蚀”(PSE)策略,成功解决了这些问题,使得石墨玻璃
2025-02-08 10:50:14772

晶圆衬底生长外延层的必要性

本文从多个角度分析了晶圆衬底生长外延层的必要性。
2025-04-17 10:06:39870

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