韩国开发了一种在石墨烯层上生长柔性GaN LED阵列的方法

12月11日，外媒消息，韩国首尔国立大学与成均馆大学的研究团队联合开发了一种在石墨烯层上生长柔性GaN LED阵列的方法，通过该技术研究团队生长出了LED微型阵列，并称作微盘阵列（Microdisks arrays）。实验结果表明，微盘阵列表现出了优异的结晶度，并可发出平面内方向一致且亮度较强的蓝光。

据悉，研究人员使用金属有机气相外延技术在覆盖有微图案 SiO2 掩模的石墨烯层上生长GaN微盘。然后将微盘加工成Micro LED，并成功转移到可弯曲基板上。这项研究表明，可通过石墨烯上生长出高质量LED，并将其集成到灵活的Micro LED设备中。

值得注意的是，首尔国立大学的研究团队近年正在深入进行Micro LED技术的研究，并通过与韩国知名显示企业之间的合作，陆续开发出先进的Micro LED制造技术。

就在今年的7月，首尔国立大学与LG电子的科学团队在《自然》（nature）杂志上发表了一种称作流体自组装(FSA)的巨量转移新技术，通过摇晃运动的方式将Micro LED芯片定位并粘合在基板上。

实验结果显示，通过应用FSA技术，可在60秒的时间内组装一个具有超19,000 个Micro LED芯片的两英寸蓝光面板。若仔细控制液体的粘度，该转移技术还可实现高达99.9%的Micro LED组装良率。

这项巨量转移新技术可大幅缩减Micro LED显示产品的制作时间与成本。该技术有望在未来5年应用在Micro LED智能手机、平板电脑、智能手表和增强现实设备等显示产品的生产中。

除此之外，在2020年，首尔国立大学团队还成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列。研究团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列，用于生长尺寸为4μm×16μm的Micro LED阵列。这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化，提供更高的外量子效率（EQE）。

审核编辑：刘清