半导体资料丨溅射外延、Micro-LED集成技术、化学蚀刻法制备MSHPS

Si上 AIN 和 GaN 的溅射外延(111)

溅射外延是一种低成本工艺，适用于沉积III族氮化物半导体，并允许在比金属-有机气相外延（MOVPE）更低的生长温度下在大衬底区域上沉积。介绍了用反应磁控溅射法在Si（111）衬底上外延生长的高质量AlN、AlGaN和GaN，并给出了工艺参数的详细信息。在高纯度环境中使用基于氨的反应溅射工艺，可以在扭曲和倾斜方面以与最佳MOVPE生长样品相当的高结晶质量生长AlN，并且具有非常低的表面粗糙度，没有溅射AlN和凹坑的典型柱状结构。

下一代显示器的Micro-LED集成技术

基于III-V族化合物半导体的无机微发光二极管（micro-LED）已被广泛研究用于自发射显示器。从芯片到应用，集成技术在微型LED显示器中发挥着不可或缺的作用。例如，大规模显示器依赖于分立器件管芯的集成来实现扩展的微型LED阵列，而全色显示器需要在同一基板上集成红色、绿色和蓝色的微型LED单元。此外，与晶体管或互补金属氧化物半导体电路的集成对于控制和驱动微型LED显示系统是必要的。在这篇综述文章中，我们总结了微型LED显示器的三种主要集成技术，即转移集成、键合集成和生长集成。概述了这三种集成技术的特点，并讨论了集成微型LED显示系统的各种策略和挑战。

化学刻蚀法制备金属超疏水表面及其应用研究进展

本文从以下几个方面综述了MSHPS的作用机制和研究现状。首先，提出了润湿理论模型，然后讨论了化学蚀刻法制备MSHPS的进展。其次，介绍了MSHPS在自清洁、防冰、耐腐蚀、减阻、油水分离等方面的应用。最后，总结了MSHPS在当前应用中遇到的挑战，并讨论了未来的研究方向。

关键词：金属、超疏水表面、化学蚀刻、低粘附性、自清洗、Micro-LED、下一代显示器、集成技术、硅、氮化镓

审核编辑 黄宇