第三十一讲 随机存取存储器

第三十一讲 随机存取存储器

9.3 随机存取存储器
9.3.1 RAM的基本结构和工作原理

9.3.2 RAM的存储单元
一、静态随机存取存储器（SRAM）的存储单元电路
1．存储单元
2．列选择线Y和读／写控制电路
二、动态随机存取存储器 (DRAM)的存储单元电路

9.3.3 集成随机存储器2114A、2116介绍
一、集成静态存储器2114A
二、集成动态存储器2116

9.3.4 RAM的扩展
一、RAM的位扩展
二、RAM的字扩展
三、RAM的字、位扩展

9.3 随机存取存储器
9.3.1 RAM的基本结构和工作原理
优点：读写方便，使用灵活。
缺点：掉电丢失信息。

一、 RAM的结构和读写原理

9.3.2 RAM的存储单元
一、静态随机存取存储器（SRAM）的存储单元电路

1．存储单元
存储单元由V1～V6组成。两个稳定状态，分别存储数据1和0。
2．列选择线Y和读／写控制电路
图中V5、 V6为受列选择线Y控制的门控管，G4、G5和三态门G1～G3构成读／写控制电路。
当列选择线为低电子0时，V7、V8均截止，封锁了存储单元位线与输入/输出端的通路，使存储单元的数据不能读出，也不能被外信号改写。当列选线为高电平1时，V7、V8导通，对存储单元可进行读/写操作，由读/写控制电路和的状态控制
二、动态随机存取存储器 (DRAM)的存储单元电路
动态存储单元是由MOS管的栅极电容C和门控管组成的。数据以电荷的形式存储在栅极电容上，电容上的电压高表示存储数据1；电容没有储存电荷，电压为0，表明存储数据0。因存在漏电，使电容存储的信息不能长久保持，为防止信息丢失，就必须定时地给电容补充电荷，这种操作称为“刷新”，由于要不断地刷新，所以称为动态存储。
包括4管MOS动态存储单元电路和单管MOS动态存储单元等

9.3.3 集成随机存储器2114A、2116介绍
采用数字电路网络课程或PowerPoint
一、集成静态存储器2114A

Intel2114A是单片1 K×4位（即有1 K个字，每个字4位）的静态存储器（SRAM），它是双列直插18脚封装器件，采用5V供电，与TTL电平完全兼容。

二、集成动态存储器2116

Intel 2116单片16 K×1位动态存储器（DRAM），是典型的单管动态存储芯片。它是双列直插16脚封装器件，采用+12V和 5V三组电源供电，其逻辑电平与TTL兼容。

9.3.4 RAM的扩展 （采用数字电路网络课程或PowerPoint并进行讨论。）
当单片RAM不能满足存储容量的要求时，这时可把多个单片RAM进行组合，扩展成大容量存储器。
一、RAM的位扩展

二、RAM的字扩展
字扩展就是把几片相同RAM的数据线并接在一起作为共用输入输出端（即位不变），读/写控制线也接在一起，把地址线加以扩展，用扩展的地址线去控制各片RAM的片选线 。

三、RAM的字、位扩展
当RAM的位线和字线都需要扩展时，一般是先进行位扩展，然后再进行字扩展。