BJ-EPM240学习板之SRAM读写实验

静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大 ［1］ ，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。

一种是置于cpu与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。Pentium Ⅱ又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新操作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。

SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache）。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。

SRAM芯片时字操作大同小异，在这里总结一一些它们共性的东西，也提一些用Verilog简单的快速操作SRAM的技巧。

这里就以本实验使用的IS62LV256-70U为例进行说明。其管脚定义如表所示。

具体在硬件连接的时候，其实很多人喜欢直接把输出使能信号0En和片选信号CEn接地，这样一-来不仅节省了处理器和SRAM连接的管脚数，而且在读写SRAM的时候其实只要对写使能信号WEn操作就可以了，简化了代码部分。本设计的硬件原理图如图所示。

关于更多BJ-EPM240学习板之SRAM读写实验请看视频。