由于氮化镓锁定中低功率应用，其应用市场规模要大于中高功率，因此Yole预估，氮化镓组件2015年∼2021年的成长率将达83%，其中电源供应器将占相当大的一部份，近六成左右，而碳化硅同期的成长则相对缓慢，成长率约在21%左右。
2016-11-28 14:14:13
1856 10 月 25 日，英飞凌科技股份公司今日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案
2023-10-25 11:38:30794 
9月，英飞凌宣布成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。12英寸晶圆与8英寸晶圆相比，每片能多生产2.3倍数量的芯片，技术和效率显著提升。这一突破将极大地推动氮化镓功率
2024-10-25 11:25:362336 
电子发烧友网报道（文/李诚）据阿里巴巴达摩院预测，2021年以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体将迎来应用的大爆发。据公开资料显示，2020年氮化镓的市场主要应用于光电、射频、电力电子领域。其中
2021-11-17 10:10:083917 可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于 200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了 2.3 倍，效率也显著提高。 300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆
2024-09-12 11:03:261814 
等第三代半导体而言，它们还有提升空间。 就在9月11日，英飞凌宣布率先开发出全球首项300 mm（12英寸）氮化镓功率半导体晶圆技术，英飞凌也成为了全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。 推动功率氮
2024-09-23 07:53:007413 
已经在电池上采用多极耳，多条连接线来降低大电流的发热。氮化镓的低阻抗优势，可以有效的降低快充发热。应用在手机电池保护板上，可以支持更高的快充功率，延长快充持续时间，获得更好的快充体验。同时氮化镓属于宽禁
2023-02-21 16:13:41
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年，德布瓦博德兰（Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被发现镓，并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名它。纯氮化镓的熔点只有30
2023-06-15 15:50:54
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
；这也说明市场对于充电器功率的市场需求及用户使用的范围；随着小米65W的充电器的发布，快速的走进氮化镓快充充电器时代。目前市面上已经量产商用的氮化镓方案主要来自PI和纳微半导体两家供应商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
氮化镓充电器从最开始量产至今，已过去了四年多，售价也从原本数百元天价到逐渐走向亲民，近日发现，联想悄然地发动氮化镓快充价格战，65W 双口氮化镓快充直接将价格拉低至 59.9 元，一瓦已经不足一元
2022-06-14 11:11:16
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么，氮化镓充电器有哪些优点，下文简单做个分析。一、氮化镓
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化镓（GaN）被称为第三代半导体材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅，有效降低内部变压器等原件体积，同时优秀
2025-01-15 16:41:14
却在这两个指标上彰显出了卓越的性能，同时，它还具备某些附加的技术优势。氮化镓的原始功率密度比当前砷化镓和 LDMOS 技术的高很多，且支持将器件技术扩展到高频应用。氮化镓技术允许器件设计师在保持高频率
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。 与LDMOS相比，硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率，将每单位面积的功率提高4到6倍，并且可扩展至高频率。同时，综合测试
2018-08-17 09:49:42
。
与硅芯片相比：
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
，只应用在高端充电器上。一些小功率的，高性价比的充电器无法享受到氮化镓性能提升所带来的红利。目前，国内已经有多家厂商推出了用于33-100W大功率充电器的合封芯片，通过将氮化镓开关管，控制器以及驱动器
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
：“ST的晶圆制造规模和卓越的运营能力将让MACOM和ST能够推动新的射频功率应用，在制造成本上取得的突破有助于扩大硅上氮化镓市场份额。虽然扩大现有射频应用的机会很有吸引力，但是我们更想将硅上氮化镓用于
2018-02-12 15:11:38
更低，氮化镓模块尺寸更小，减少电控模块在微波炉的占用空间，功率变化和温度控制也更精确。MACOM将类似微波炉的应用称为“射频能量应用”。`
2017-09-04 15:02:41
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
/ xzl1019 未来 5 年 GaN 预测的最大市场是移动快速充电，预计到 2025 年市场将达到 7 亿美元 xi.ii 硅设计继续被选择用于低功率、大外壳、低性能充电器从 5 W – 20 W，大多数新的更高功率、旗舰智能手机充电器设计（从 45 W 到 100 W）都是 GaN。如有侵权，请联系作者删除
2021-07-06 09:38:20
包括更低的开关损耗、更快的开关速度、更高的功率密度、更出色的热预算，并进一步降低重量和成本。除了电动汽车市场之外，基于氮化镓的电子产品也为进一步降低数据中心和消费类设备的功耗提供了良机。电动汽车
2018-07-19 16:30:38
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的电阻和电容，开关速度可提高一百倍。
为了充分利用氮化镓功率芯片的能力，电路的其他部分也必须在更高的频率下有效运行。近年加入控制芯片之后，氮化镓充电器的开关频率，已经从 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
推广应用和推广碳中和”的政策。日本大坂大学的森勇介教授，一直在从事高品质的半导体研究，这一次，我们就氮化镓的研发情况、研究成果对未来的应用前景产生的影响，森教授进行了访谈。目前，功率半导体的应用广泛，其
2023-02-23 15:46:22
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
镓充电器可谓吸引了全球眼球，小巧的体积一样可以实现大功率输出，比APPLE原厂30W充电器更小更轻便。[color=rgb(51, 51, 51) !important]将内置氮化镓充电器与传统充电器
2019-07-08 04:20:32
组件来实现产品设计。也因为消费性市场存在可观的潜在需求，相较于碳化硅组件基本上是整合组件制造商(IDM)的天下，氮化镓制程已经吸引台积电等晶圆代工业者投入。不过，氮化镓阵营的业者也有问鼎大功率
2021-09-23 15:02:11
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
`根据Yole Developpement指出，氮化镓(GaN)组件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体企业受惠；另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际
2015-09-15 17:11:46
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
的应用。“氮化镓就像一个超级增压引擎，”我们的高压新技术开发组总监Steve Tom说，“它使得系统运行更快，动力更加强劲，并且能够处理更高的功率。它周围的驱动器、封装和其它组件能够真正地提高任何系统的性能
2022-11-16 07:42:26
的应用。“氮化镓就像一个超级增压引擎，”我们的高压新技术开发组总监Steve Tom说，“它使得系统运行更快，动力更加强劲，并且能够处理更高的功率。它周围的驱动器、封装和其它组件能够真正地提高任何系统的性能
2018-08-30 15:05:50
首批商用氮化镓集成功率级器件
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出行业首个商用集成功率级产品系列，采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:011093 
IR推出首批商用氮化镓集成功率级器件iP2010和iP2011
国际整流器公司(IR)推出行业首个商用集成功率级产品系列，采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台。崭新的i
2010-03-09 10:24:501243 
氮化镓电源管理芯片市场将快速增长
据iSuppli公司，由于高端服务器、笔记本电脑、手机和有线通讯领域的快速增长，氮化鎵(GaN)电源管理半导体市
2010-03-25 09:14:411172 IR推出高效率氮化镓功率器件
目前，硅功率器件主要通过封装和改善结构来优化性能提升效率，不过随着工艺技术的发展这个改善的空间已经不大了
2010-05-10 17:50:571347 RFMD公司推出氮化镓有线电视表面贴装功率倍增模块。RFCM2680 是业界首款专门针对有线电视网络的表面贴装氮化镓功率倍增模块。该器件同时采用了氮化镓 HEMT 和砷化镓 pHEMT 技术，可在
2011-11-16 10:06:461607 富士通半导体有限公司台湾分公司宣佈，成功透过硅基板氮化镓（GaN）功率元件让伺服器电源供应器达到2.5kW的高输出功率，并扩大电源供应的增值应用，实现低碳能源社会。富士通半导
2012-11-21 08:51:361656 全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 近日宣布已经为一套家庭影院系统测试并装运了基于其革命性氮化镓 （GaN） 功率器件技术平台的产品。这套家庭影院系统是由一家业界领先的消费电子产品公司所生产。
2013-05-14 11:22:221180 在近日的业内电源展会上，英飞凌公布了最新的氮化镓材料应用，一款功率为65W的USB PD充电器。
2018-11-16 15:32:352024 2016年氮化镓(GaN)功率元件产业规模约为1,200万美元，研究机构Yole Développemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4.6亿美元，年复合成长率高达79%。
2018-05-22 17:02:218864 
为有效提升电动车整体功率并减少车体重量，采用新一代功率半导体可说是势在必行，氮化镓便应运而生；透过氮化镓IC，未来的电动汽车将更快、更小、具更佳的性能，同时实现更低的能源损耗。
2018-08-14 14:13:063721 
氮化镓功率器件及其应用(二)TI用氮化镓器件实现的DCDC设计方案
2019-04-03 06:13:006339 
3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。
2020-11-20 14:08:177688 用氮化镓重新考虑功率密度
2022-11-01 08:27:30
1 氮化镓（GaN）功率半导体技术为提高射频/微波功率放大的性能水平做出了巨大贡献。通过减少器件的寄生元件、使用更短的栅极长度和使用更高的工作电压，GaN晶体管达到了更高的输出功率密度、更宽的带宽和更高的DC-RF效率。
2023-01-23 10:13:001727 
氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-02-05 15:38:1810906 
硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:337273 
3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。
2023-02-12 17:32:164696 硅基氮化镓技术原理是指利用硅和氮化镓的特性，将其结合在一起，形成一种新的复合材料，以满足电子元件、电子器件和电子零件的制造要求。硅基氮化镓具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性，可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件，而氮化镓则可以提供良好的电子性能和绝缘性能。
2023-02-14 14:46:582277 硅基氮化镓和蓝宝石基氮化镓都是氮化镓材料，但它们之间存在一些差异。硅基氮化镓具有良好的电子性能，可以用于制造电子元件，而蓝宝石基氮化镓具有良好的热稳定性，可以用于制造热敏元件。此外，硅基氮化镓的成本更低，而蓝宝石基氮化镓的成本更高。
2023-02-14 15:57:152751 Semiconductor（纳斯达克代码：NVTS）宣布开设新的电动汽车 (EV) 设计中心，进一步扩展到更高功率的氮化镓市场。与传统的硅解决方案相比，基于氮化镓的车载充电器 (OBC) 的充电速度估计
2023-02-22 13:49:511 根据韩国媒体 BusinessKorea 报导，三星电子即将进军氮化镓 （GaN）市场，目的是为了满足汽车领域对功率半导体的需求。
2023-07-19 16:09:281694 相对于传统的硅材料，氮化镓电源在高功率工作时产生的热量较少，因为氮化镓具有较低的电阻和较高的热导率。这意味着在相同功率输出下，氮化镓电源相对于传统的硅电源会产生较少的热量。
2023-07-31 15:16:2310672 氮化镓功率器件具有较低的导通阻抗和较高的开关速度，使其适用于高功率和高频率应用，如电源转换、无线通信、雷达和太阳能逆变器等领域。由于其优异的性能，氮化镓功率器件在提高功率密度、提高系统效率和减小尺寸方面具有很大的潜力。
2023-08-24 16:09:154483 氮化镓功率器以氮化镓作为主要材料，具有优异的电特性，例如高电子迁移率、高饱和漂移速度和高击穿电场强度。这使得氮化镓功率器具有低导通电阻、高工作频率和高开关速度等优势，能够在较小体积下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:561025 氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:3410640 
不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
2023-10-16 14:52:442505 渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓（GaN）功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。 目前，英飞凌共有 450 名氮化镓技术专家和超过 350 个氮化镓技术专利族。英飞凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:521116 论文研究氮化镓GaN功率集成技术
2023-01-13 09:07:473 氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下，产生紫光(405nm)激光。 GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为17
2023-11-24 11:05:117181 氮化镓是什么材料提取的 氮化镓是一种新型的半导体材料，需要选用高纯度的金属镓和氨气作为原料提取，具有优异的物理和化学性能，广泛应用于电子、通讯、能源等领域。下面我们将详细介绍氮化镓的提取过程和所
2023-11-24 11:15:206429 氮化镓激光芯片是一种基于氮化镓材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高温、耐腐蚀等优点，被广泛应用于通信、医疗、工业等领域。下面我们将详细介绍氮化镓激光芯片的用途。 一、通信领域 氮化镓激光芯片
2023-11-24 11:23:155437 氮化镓功率器和氮化镓合封芯片在快充市场和移动设备市场得到广泛应用。氮化镓具有高电子迁移率和稳定性，适用于高温、高压和高功率条件。氮化镓合封芯片是一种高度集成的电力电子器件，将主控MUC、反激控制器、氮化镓驱动器和氮化镓开关管整合到一个...
2023-11-24 16:49:221796 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:416132 氮化镓技术（GaN技术）是一种基于氮化镓材料的半导体技术，被广泛应用于电子设备、光电子器件、能源、通信和国防等领域。本文将详细介绍氮化镓技术的用途和应用，并从不同领域深入探讨其重要性和优势。 一
2024-01-09 18:06:363959 ，市场潜力巨大。根据市场研究机构的预测，氮化镓功率元件市场的营收将在2024年显著增长，预计到2026年市场规模将达到13.3亿美元，复合年增长率高达65%。这一增长趋
2024-07-24 10:55:201572 
TrendForce集邦咨询最新发布的报告揭示了全球GaN（氮化镓）功率元件市场的强劲增长潜力。据预测，到2030年，该市场规模将从2023年的约2.71亿美元激增至43.76亿美元，复合年增长率
2024-08-15 17:28:421899 自去年以来，氮化镓（GaN）功率半导体市场持续升温，成为半导体行业的焦点。英飞凌、瑞萨电子、格芯等业界巨头纷纷通过并购GaN技术公司，加速在这一领域的布局，旨在强化技术储备并抢占市场先机。随着快充
2024-08-26 16:34:331686 科技股份公司今天宣布，已成功开发出全球首项300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项
2024-09-13 08:04:20947 
先进的无线功率解决方案，为各行各业开辟解决功率难题的新途径。 英飞凌CoolGaN™ GS61008P 此次合作将英飞凌的先进氮化镓（GaN）技术与AWL-E创新的兆赫级电容耦合谐振式功率传输系统相结合，实现了行业领先的无线功率效率。 英飞凌的GaN晶体管技术具有极高的效率和功率密度，而且可在
2024-10-29 17:50:25856 
呈现出爆发式增长态势。英飞凌长期深耕氮化镓领域，再次推动了氮化镓革命，率先成功开发出了全球首个300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆技术，是全球首家在现有且可扩展的
2024-12-06 01:02:431399
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