数字晶体管常用语

数字晶体管是双极晶体管内增添了电阻器的一种晶体管。

数字晶体管，又称数字可控硅，是一种可以实现电路转换功能的硅元件。它由npn或pnp 三极管以及控制电路组成，控制电路中有振荡电路、反馈和计时电路等。数字晶体管使电路具有多种复杂的功能，并使其能够根据不同的输入信号而改变逻辑功能。

由于数字晶体管具有灵活的输入/输出控制特性，它一般用于电场效应管（FET）和Insulated Gate Field Effect （IGBT）史v实现电路的转换作用：它可以对丕凤信号输入有丕凤的反馈;进而控制或IGBT的开关。在迕多航空电子系统史：数字虽体管作为一个可控电子开关，它控制和传输电子信号，满足航空电子系统的电路功能要求，也可以进行信号编码、编码和故障指示等复杂的功能操作。

数字晶体管也可用于数字电子系统中的数字控制和运算，如大臂机器人的运动控制、自动数控铣床等。而且还可以用于电力转换行业操作控制。由于他的低功耗特性，可以用于要求低功耗的应用中，如EPROM和定时器、闪存等应用。

数字晶体管常用语表征数字晶体管的参数有7个，分别为VI（on）Min、VI（off）Max、VO（on）、II（Max.）、GI、R1、R2/R1。

其中，VI（on）Min.是最小输入电压。这表示向OUT引脚、GND引脚间施加正向电压（VO），并得到规定的输出电流时需要的最小输入电压，即数字晶体管导通区域的最小输入电压值。因此，如果要从ON状态变为OFF状态，需要进一步降低该最小输入电压值，所以正常产品的电压值低于这个数值。

VI（off）Max.是最大输入电压。这表示向OUT引脚、GND引脚间施加电源电压（VCC）、输出电流（IO）的状态下，IN引脚、GND引脚间得到的最大输入电压，即可以保持数字晶体管OFF状态区域的最大输入电压值。因此，如果要从OFF状态变为ON状态，需要进一步升高该最大输入电压值，所以正常产品的电压值高于这个数值。

VO（on）是输出电压，表示任意输入条件下不超过绝对最大额定值的输出引脚电压。GND接地放大电路流过充足的输入电流时，输出电压降低，IN、OUT接合也变为正偏压状态。在规定的VO、IO下将II设定为整数（通常10~20）分之一进行测定。

II（Max.）是输入电流，表示向IN引脚、GND引脚间施加正向电压（VI）时，IN引脚连续流过电流的最大输入容许值。

GI是GND接地直流电流增益，表示规定的VO、IO条件下的IO/II的比值。

R1表示输入电阻，表示在IN引脚、晶体管基极之间内置的电阻。R1的公差设定为±30%。另外，还会随着温度的变化而变化。

R2/R1是电阻比率（RESISTANCE RATIO），表示晶体管的基极发射极之间的电阻与内置输入电阻的比率。

　　以下是数字晶体管常用的术语：

　　基极（Base）：数字晶体管中的一极，用于控制晶体管的开关状态和放大作用。

　　发射极（Emitter）：数字晶体管中的一极，用于发射电子并控制电流流动的方向。

　　集电极（Collector）：数字晶体管中的一极，用于收集电流并控制电流流动的方向。

　　NPN：一种常见的数字晶体管类型，其中基极为P型材料，发射极和集电极为N型材料。

　　PNP：另一种常见的数字晶体管类型，其中基极为N型材料，发射极和集电极为P型材料。

　　饱和状态（Saturation）：数字晶体管的一种工作状态，发射极-基极电压足够高，使得集电极-发射极电压不再继续增加，电流达到极限值。