本内容讲解了氮化镓在射频通信中应用。氮化镓并非革命性的晶体管技术,与现有技术相比，氮化镓(GaN)的优势在于更高的漏极效率、更大的带宽、更高的击穿电压和更高的结温操作
2011-12-12 15:19:28
1773 德州仪器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出两款新型高速氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达（LIDAR）以及5G射频
2018-03-12 10:44:0011332 大家清晰的了解GaN产品。 1．从氮化镓GaN产品的名称上对比 如下图所示，产品GaN标示图。纳微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英诺赛科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:0027189 
10 月 25 日，英飞凌科技股份公司今日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案
2023-10-25 11:38:30794 
氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:2914900 
本推文简述氮化镓器件，主要包括GaN HEMT和二极管，帮助读者了解Sentaurus TCAD仿真氮化镓器件的相关内容。
2023-11-27 17:12:015665 
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
。MACOM简介：MACOM科技公司是面向下一代互联网和国防应用的高性能模拟、射频、微波、毫米波和光半导体产品的领先供应商。MACOM拥有业内最广泛的产品组合和核心技术，涵盖了高速光学、卫星、雷达
2017-04-17 18:19:05
`网络基础设施与反导雷达等领域都要求使用高性能高功率密度的射频器件，这使得市场对于射频氮化镓（GaN）器件的需求不断升温。举个例子，现在的无线基站里面，已经开始用氮化镓器件取代硅基射频器件，在
2016-08-30 16:39:28
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着技术的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80％的能源，而2005年这一比例仅为30％1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80%的能源，而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化镓（GaN）被称为第三代半导体材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅，有效降低内部变压器等原件体积，同时优秀
2025-01-15 16:41:14
满足军方对小型高功率射频器件的需求，WBST 计划在一定程度上依托早期氮化镓在蓝光 LED 照明应用中的成功经验。为了快速跟踪氮化镓在军事系统中的应用，WBST 计划特准计划参与方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
的数十亿次的查询，便可以获得数十亿千瓦时的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年
2019-03-14 06:45:11
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN
2018-08-17 09:49:42
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
CHA8107-QCB两级氮化镓（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款两级氮化镓（GaN）高功率
2025-12-12 09:40:25
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
在射频领域采用硅基氮化镓（GaN on Si）技术的供应商。我们采用硅基氮化镓（GaN Si）技术以分立器件、模块和单元的形式提供广泛的连续波（CW）射频功率晶体管产品，支持频率从DC到6GHz
2017-08-14 14:41:32
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
专家面对面交流并了解有关以下方面的更多信息：助力基站：尖端氮化镓60 W平均功率Doherty模块射频能量：MACOM的Beta Toolkit助力射频能源应用MACOM的高功率硅基氮化镓产品组合：为
2017-05-18 18:12:54
，可帮助系统设计人员简化和加快产品开发，使其能够轻松微调射频能量输出水平，从而最大限度地提高效率和增强性能。MACOM的射频能量工具包将其硅基氮化镓功率晶体管的优势与直观、灵活的软件和信号控制能力相结合
2017-08-03 10:11:14
镓产品线所生产的氮化镓的相关器件， 其每瓦特功率的晶圆成本只有相应的LDMOS产品的一 半，与基于碳化硅的氮化镓晶圆相比，在能达到相同性能的情况下，其量产成本显著降低。MACOM氮化镓在成本控制方面
2017-08-30 10:51:37
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端，由于对高功率的需求，氮化镓（GaN）因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
（GaN）原厂来说尤为常见，其根本原因是氮化镓芯片的优异开关性能所引起的测试难题，下游的氮化镓应用工程师往往束手无策。某知名氮化镓品牌的下游客户，用氮化镓半桥方案作为3C消费类产品的电源，因电源稳定性
2023-02-01 14:52:03
解决方案来简化您的设计，提高功率密度和可靠性了。在GaN解决方案门户上查看TI完整的GaN直流/直流转换产品组合。 更多电源类博文更多充电类产品TI更多视频培训原文链接：https
2019-07-29 04:45:02
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统，因为频率越高，氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢？
2019-07-31 06:53:15
降低性能。行业内外随着射频能量通过加大控制来改进工艺的机会持续增多，MACOM将继续与行业领导者合作，以应用最佳实践并通过我们的硅基氮化镓(GaN-on-Si)解决方案实现射频能量。确保了解有关射频能量
2018-01-18 10:56:28
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
器件的市场营收预计将达到13亿美元，约占3W以上的RF 功率市场的45%。2015-2025年射频功率市场不同技术路线的份额占比资料来源：YOLE境外GaN射频器件产业链重点公司及产品进展：目前微波射频
2019-04-13 22:28:48
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信
2023-12-15 17:43:45
首批商用氮化镓集成功率级器件
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出行业首个商用集成功率级产品系列，采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:011093 
随着氮化镓（GaN）技术在射频（RF）中的应用逐渐增多以及LTE基站在中国的广泛部署，射频氮化镓的市场规模在2015年增长将近50%。
2018-04-23 11:53:001608 与硅或者其他三五价器件相比，氮化镓速度更快。GaN可以实现更高的功率密度。对于既定功率水平，GaN具有体积小的优势。有了更小的器件，就可以减小器件电容，从而使得较高带宽系统的设计变得更加轻松。射频电路中的一个关键组成是PA（Power Amplifier，功率放大器）。
2018-11-30 11:25:4119643 Soitec宣布收购EpiGaN nv，增强其优化衬底产品组合氮化镓（GaN）材料优势，此次收购将加速Soitec在高速增长的5G、电源和传感器市场的渗透率。 中国北京，2019年5月16日作为
2019-05-16 09:17:001720 近日，氮化镓射频及功率器件项目桩基开工。这个项目总投资25亿元，占地111.35亩，分两期实施，全部达产后预计实现年销售30亿元以上，可进一步推动嘉兴集成电路新一代半导体产业。
2020-07-06 08:46:052191 是Soitec一年前收购的氮化镓（GaN）外延硅片材料供应商。加入Soitec后，EpiGaN 成为旗下氮化镓业务部门，进一步加强了公司针对射频和功率器件市场的优化衬底的产品组合。 氮化镓拓展了
2020-07-14 14:19:341495 Inc.（美国微芯科技公司）宣布扩大其碳化硅产品组合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和电源模块。 Microchip的1700V碳化硅技术是硅IGBT的替代产品。由于硅IGBT的损耗问题限制了开关频率，之前的技术要求设计人员在性能上做出妥协并使用
2021-08-12 11:14:192458 意法半导体推出了一个新系列—— 氮化镓（GaN） 功率半导体。该系列产品属于意法半导体的STPOWER 产品组合，能够显著降低各种电子产品的能耗和尺寸。
2021-12-17 17:32:301432 本文重点讨论氮化镓功率器件在阵列雷达收发系统中的应用。下面结合半导体的物理特性，对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的特点加以说明。
2022-04-24 16:54:336940 
氮化镓（GaN）功率半导体技术为提高射频/微波功率放大的性能水平做出了巨大贡献。通过减少器件的寄生元件、使用更短的栅极长度和使用更高的工作电压，GaN晶体管达到了更高的输出功率密度、更宽的带宽和更高的DC-RF效率。
2023-01-23 10:13:001727 
和GaN为代表物质制作的器件具有更大的输出功率和更好的频率特性。 2、分类状况 氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等领域；硅
2023-02-03 14:31:181407 氮化镓是半导体与微电子产业的新星，其高电子能量的特性使其拥有极高的电能转换效率和优秀的高频特性。业界已经公认氮化镓（GaN）半导体器件产品将统治微波放大和电能转换领域，市场规模大于150亿美元。那么
2023-02-05 11:43:472725 氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-02-05 15:38:1810906 
氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等领域；硅基氮化镓功率器件主要应用于电力电子器件领域。虽然
2023-02-10 10:52:524733 
氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度，更高的热导率和更低的导通电
阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。
氮化镓晶体
2023-02-15 16:19:06
0 。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。 GaN，中文名:氮化镓，常温常压下是纤锌矿结构。
2023-02-17 14:18:2412177 氮化镓功率器件具有较低的导通阻抗和较高的开关速度，使其适用于高功率和高频率应用，如电源转换、无线通信、雷达和太阳能逆变器等领域。由于其优异的性能，氮化镓功率器件在提高功率密度、提高系统效率和减小尺寸方面具有很大的潜力。
2023-08-24 16:09:154483 调查结果显示，SiC、GaN（氮化镓）等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件，市场正在稳步扩大。
2023-09-04 15:13:241214 
GaN 技术持续为国防和电信市场提供性能和效率。目前射频市场应用以碳化硅基氮化镓器件为主。虽然硅基氮化镓（GaN-on-Si）目前不会威胁到碳化硅基氮化镓的主导地位，但它的出现将影响供应链，并可能塑造未来的电信技术。
2023-09-14 10:22:362157 
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:3410640 
在当今的高科技社会中，氮化镓（GaN）功率器件已成为电力电子技术领域的明星产品，其具有的高效、高频、高可靠性以及高温工作能力等优势在众多领域得到广泛应用。然而，为了确保氮化镓功率器件的性能和可靠性，制定一套科学、规范的测试方案至关重要。
2023-10-08 15:13:231900 
不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
2023-10-16 14:52:442505 渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓（GaN）功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。 目前，英飞凌共有 450 名氮化镓技术专家和超过 350 个氮化镓技术专利族。英飞凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:521116 论文研究氮化镓GaN功率集成技术
2023-01-13 09:07:473 稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
今天就来了解一下，氮化镓（GAN)在应用过程中具有那些性能特点？
2023-11-09 11:43:532424 氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。
2023-12-15 18:11:441477 
氮化镓（GaN）MOS（金属氧化物半导体）管驱动芯片是一种新型的电子器件，它采用氮化镓材料作为通道和底层衬底，具有能够承受高功率、高频率和高温度的特性。GaN MOS管驱动芯片广泛应用于功率电子
2023-12-27 14:43:233430 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:416132 美国领先的纯晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)于本周一宣布了一项重要战略举措，成功收购了Tagore公司专有的、经过生产验证的功率氮化镓(GaN)技术及IP产品组合。
2024-07-03 11:42:561822 
本文要点氮化镓是一种晶体半导体，能够承受更高的电压。氮化镓器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。氮化镓技术可实现高功率密度和更小的磁性。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是两种
2024-07-06 08:13:181988 
自去年以来，氮化镓（GaN）功率半导体市场持续升温，成为半导体行业的焦点。英飞凌、瑞萨电子、格芯等业界巨头纷纷通过并购GaN技术公司，加速在这一领域的布局，旨在强化技术储备并抢占市场先机。随着快充
2024-08-26 16:34:331686 的 650V 氮化镓 HEMT工艺推出了 EcoGaN 系列新产品。 罗姆、台积电就车载氮化镓 GaN 功率器件达成战略合作伙伴关系 罗姆、台积电双方将致力于把罗姆的氮化镓器件开发技术与台积电业界先进的 GaN-on-Silicon（硅基氮化镓）工艺技术优势结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优
2024-12-12 18:43:321573 
器件的性能，使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破，成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势：1.体积更小，功率密度更高材料特性：GaN的电子迁移率比硅
2025-02-27 07:20:334534 
GaN驱动技术手册免费下载 氮化镓半导体功率器件门极驱动电路设计方案
2025-03-13 18:06:0046971 
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